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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-04-22 09:40 絶縁膜上におけるSn添加Ge薄膜の固相成長とTFT応用 古賀泰志郎・永野貴弥・茂藤健太・山本圭介・○佐道泰造（九大）  SDM2023-7 OME2023-7 |
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| 抄録 | （和） | 高性能システムインディスプレイの実現には，高速薄膜トランジスタ(TFT)の創出が必須である．このためSiより高いキャリア移動度を有するGeが注目されている．しかし従来法で形成したGe薄膜では，膜厚の減少に伴ってキャリア移動度が低下する課題がある，極薄Ge膜の移動度向上を目指し，Sn添加Ge薄膜の界面変調型固相成長法を開発した．この手法により，高キャリア移動度(~100 cm2/Vs)を有する極薄Ge膜(20 nm)が実現する． |
| （英） | High-speed thin-film transistors (TFTs) are required to realize advanced system-in-displays. For this purpose, Ge is attractive due to its higher carrier mobility compared with Si. However, the carrier mobility of Ge films obtained by conventional growth processes decrease with decreasing thickness. To increase the carrier mobilities of ultrathin Ge films, a novel growth technique, i.e., interface-modulated solid-phase crystallization, of Sn-doped Ge has been developed. This achieves high carrier mobility (~100 cm2/Vs) of ultrathin films (20 nm) on insulators. | |
| キーワード | （和） | Ge / 固相成長 / 薄膜トランジスタ / / / / / |
| （英） | Ge / Solid-Phase Crystallization / Thin-Film Transistor / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 8, SDM2023-7, pp. 27-29, 2023年4月. | |
| 資料番号 | SDM2023-7 | |
| 発行日 | 2023-04-14 (SDM, OME) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2023-7 OME2023-7 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2023-04-21 - 2023-04-22 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawaken Seinen Kaikan |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Thin film devices (Si, compound, organic, flexible), Biotechnology, Materials, Characterization, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2023-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 絶縁膜上におけるSn添加Ge薄膜の固相成長とTFT応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Solid-phase crystallization of Sn-doped Ge films on insulator and its application to TFT |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ge / Ge |
| キーワード(2)（和/英） | 固相成長 / Solid-Phase Crystallization |
| キーワード(3)（和/英） | 薄膜トランジスタ / Thin-Film Transistor |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古賀 泰志郎 / Taishiro Koga / コガ タイシロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永野 貴弥 / Takaya Nagano / ナガノ タカヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 茂藤 健太 / Kenta Moto / モトウ ケンタ |
| 第3著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 圭介 / Keisuke Yamamoto / ヤマモト ケイスケ |
| 第4著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐道 泰造 / Taizoh Sadoh / サドウ タイゾウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 講演者 | 第5著者 |
| 発表日時 | 2023-04-22 09:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2023-7, OME2023-7 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.8(SDM), no.9(OME) |
| ページ範囲 | pp.27-29 |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2023-04-14 (SDM, OME) |
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