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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-05-19 17:20 AlN film by reactive sputtering as a stressor for Ge photonic devices on Si ○Jose A. Piedra-Lorenzana・Shohei Kaneko・Takaaki Fukushima・Keisuke Yamane（Toyohashi Univ. Tec.）・Junichi Fujikata（Tokushima Univ.）・Yasuhiko Ishikawa（Toyohashi Univ. Tec.）  ED2023-9 CPM2023-9 SDM2023-26 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | AlN deposited by reactive sputtering is studied as an external stressor for controlling the operating wavelength of near-infrared photonic devices with a Ge epitaxial layer on Si. A Ge strip structure as narrow as 1 μm is prepared by selective-area chemical vapor deposition on Si with a SiO2 mask, followed by a deposition of a poly-crystalline AlN overlayer by reactive sputtering at a low temperature of 200C. The Raman spectrum indicates a tensile strain generated by depositing the AlN film on the Ge strip. Such a tensile strain narrows the direct bandgap energy of Ge, as confirmed by the photoluminescence spectroscopy. The fundamental optical absorption edge is potentially extended longer than the wavelength of 1.55 μm in the unstrained case. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | Ge / Stressor / AlN / Si photonics / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 43, SDM2023-26, pp. 36-39, 2023年5月. | |
| 資料番号 | SDM2023-26 | |
| 発行日 | 2023-05-12 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2023-9 CPM2023-9 SDM2023-26 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED SDM |
| 開催期間 | 2023-05-19 - 2023-05-19 |
| 開催地（和） | 名古屋工大 |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2023-05-CPM-ED-SDM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | AlN film by reactive sputtering as a stressor for Ge photonic devices on Si |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Ge |
| キーワード(2)（和/英） | / Stressor |
| キーワード(3)（和/英） | / AlN |
| キーワード(4)（和/英） | / Si photonics |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | Jose A. Piedra-Lorenzana / Jose A. Piedra-Lorenzana / |
| 第1著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tec.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金子 尚平 / Shohei Kaneko / カネコ ショウヘイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tec.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福島 孝晃 / Takaaki Fukushima / フクシマ タカアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tec.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山根 啓輔 / Keisuke Yamane / ヤマネ ケイスケ |
| 第4著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tec.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤方 潤一 / Junichi Fujikata / フジカタ ジュンイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | 徳島大学 (略称： 徳島大) Tokushima University (略称： Tokushima Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 靖彦 / Yasuhiko Ishikawa / イシカワ ヤスヒコ |
| 第6著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tec.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-05-19 17:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2023-9, CPM2023-9, SDM2023-26 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.41(ED), no.42(CPM), no.43(SDM) |
| ページ範囲 | pp.36-39 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-05-12 (ED, CPM, SDM) |
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