| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-05-19 15:40 極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製と評価 ○加藤一朗・久保俊晴・三好実人・江川孝志（名工大）  ED2023-5 CPM2023-5 SDM2023-22 |
|
| 抄録 | （和） | グラフェンをFETとして用いるには絶縁基板への転写が必要であり、その過程でグラフェンに欠陥が導入されてしまう可能性がある。金属触媒を凝集させる技術を用いることで転写フリーグラフェンを絶縁基板上に形成できることを報告する。これまでに転写フリーグラフェンを用いたFETを作製し、ゲート電圧によるドレイン電流の変調を確認した。さらに、予め形成した金属Niパターンを用いて金属凝集をコントロールすることで、グラフェン成膜とデバイスパターン形成を同時に進められること、および金属Niパターン近傍に数層のグラフェンが形成されることを確認した。本研究では、EB露光および基板加熱Ni蒸着によるサブミクロン間隔のNiパターン作製、および転写フリーグラフェンを用いたFETの作製を試み、ゲート電圧によるドレイン電流の変調を確認することができた。 |
| （英） | Using graphene as a FET requires transferring it to an insulating substrate, and defects may be introduced in the graphene in the process. We report that transfer-free graphene can be formed on insulating substrates by using a metal catalyst aggregation technique. In previous studies, we fabricated FETs with transfer-free graphene and observed drain current modulations by applied gate voltages. Furthermore, we confirmed that graphene deposition and device pattern formation can proceed simultaneously by controlling metal aggregation using pre-formed metal Ni patterns, and that several layers of graphene are formed in the vicinity of metal Ni patterns. In this study, we attempted to form Ni patterns with submicron spacing by EB lithography and substrate-heated Ni deposition, and FETs using transfer-free graphene were fabricated. We could confirm the drain current modulations by applied gate voltages. | |
| キーワード | （和） | グラフェン / FET / 金属凝集法 / / / / / |
| （英） | Graphene / FET / The metal agglomeration technique / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 41, ED2023-5, pp. 20-23, 2023年5月. | |
| 資料番号 | ED2023-5 | |
| 発行日 | 2023-05-12 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2023-5 CPM2023-5 SDM2023-22 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED SDM |
| 開催期間 | 2023-05-19 - 2023-05-19 |
| 開催地（和） | 名古屋工大 |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2023-05-CPM-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and evaluation of transfer-free graphene FETs on sapphire substrates using agglomeration phenomenon of Ni patterns with ultra-fine structure |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | グラフェン / Graphene |
| キーワード(2)（和/英） | FET / FET |
| キーワード(3)（和/英） | 金属凝集法 / The metal agglomeration technique |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 一朗 / Ichiro Kato / カトウ イチロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 久保 俊晴 / Toshiharu Kubo / クボ トシハル |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三好 実人 / Makoto Miyoshi / ミヨシ マコト |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第5著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-05-19 15:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2023-5, CPM2023-5, SDM2023-22 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.41(ED), no.42(CPM), no.43(SDM) |
| ページ範囲 | pp.20-23 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-05-12 (ED, CPM, SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]