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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-06-26 11:30 自己組織化単分子膜を用いた極薄SiO2/SiC界面特性の評価 ○奥平 諒（関西学院大）・川那子高暢（東工大）・細井卓治（関西学院大）  SDM2023-29 |
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| 抄録 | （和） | オクタデシルホスホン酸（ODPA: octadecylphosphonic acid）の自己組織化単分子膜（SAM: self-assembled monolayer）を利用した極薄熱酸化SiO2/4H-SiC(0001)界面特性評価を行った．熱酸化SiO2膜上へのODPA-SAM膜形成はSiO2/SiC界面特性に影響しないことをコンダクタンス法により確認した．また，ODPA-SAM膜によってゲートリーク電流を抑制することで，極薄SiO2膜であっても界面準位密度Ditを求めることができ，酸化膜厚が1.3 nm以上になるとDitはほぼ一定の値となるが，1.2 nm以下の膜厚では薄膜ほどDitが低いことを明らかにした． |
| （英） | We have successfully evaluated ultrathin SiO2/4H-SiC(0001) interface property by stacking self-assembled monolayer (SAM) of octadecylphosphonic acid (OPDA) on thermally grown SiO2. The conductance method revealed that the formation of ODPA-SAM film does not affect the underlying SiO2/SiC interfaces. In addition, by reducing the gate leakage current by stacking the ODPA-SAM film, the interface state density (Dit) can be obtained even for ultra-thin SiO2 films, and it was found that Dit is almost constant when the oxide film thickness is above 1.3 nm, but that Dit is lower for thinner films below 1.2 nm. | |
| キーワード | （和） | 4H-SiC / 界面準位密度 / 極薄ゲート酸化膜 / 自己組織化単分子膜 / コンダクタンス法 / / / |
| （英） | 4H-SiC / interface state density / ultrathin gate oxide / self-assembled monolayer (SAM) / conductance method / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 89, SDM2023-29, pp. 7-10, 2023年6月. | |
| 資料番号 | SDM2023-29 | |
| 発行日 | 2023-06-19 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2023-29 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2023-06-26 - 2023-06-26 |
| 開催地（和） | 広島大学 ナノデバイス研究所 |
| 開催地（英） | Hiroshima Univ. (Res. Inst. of Nanodevices) |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ・パワーデバイス高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices, Memories, and Power Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2023-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 自己組織化単分子膜を用いた極薄SiO2/SiC界面特性の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of ultrathin SiO2/SiC interfaces by using self-assembled monolayers |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | 界面準位密度 / interface state density |
| キーワード(3)（和/英） | 極薄ゲート酸化膜 / ultrathin gate oxide |
| キーワード(4)（和/英） | 自己組織化単分子膜 / self-assembled monolayer (SAM) |
| キーワード(5)（和/英） | コンダクタンス法 / conductance method |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 奥平 諒 / Ryo Okuhira / オクヒラ リョウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 関西学院大学 (略称： 関西学院大) Kwansei Gakuin University (略称： Kwansei Gakuin Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川那子 高暢 / Takamasa Kawanago / カワナゴ タカマサ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 細井 卓治 / Takuji Hosoi / ホソイ タクジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 関西学院大学 (略称： 関西学院大) Kwansei Gakuin University (略称： Kwansei Gakuin Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-06-26 11:30:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2023-29 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.89 |
| ページ範囲 | pp.7-10 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-06-19 (SDM) |
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