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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-06-26 12:10 熱酸化Zr/Hf多重積層構造の結晶構造および強誘電特性評価 ○佐野友之輔（名大）・田岡紀之（愛知工大）・牧原克典（名大）・大田晃生（福岡大）・宮﨑誠一（名大）  SDM2023-31 |
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| 抄録 | （和） | Hf系酸化物のOrthorhombic(O)相は~5.0nmの超薄膜においても強誘電性を示すが、準安定相であるため、形成手法や熱的安定性が課題となっている。 本研究では、Si基板上に金属Hf薄膜(~1.0nm)とZr薄膜(~1.0nm)を交互積層した4層積層構造を形成した後、熱酸化することで強誘電性超薄膜の形成を試みた。 熱酸化後、微小角X線回折測定においてMonoclinic相に起因する信号が認められるものの、O/Tetragonal(T)相の信号が明瞭に認められた。 また、750℃で熱酸化した試料を、Ni上部電極形成後に窒素雰囲気中400℃で短時間低温熱処理(PMA)を行うと、O/Tetragonal(T)相が支配的になり、他の条件と比較して、大きな残留分極を示すことがわかった。 |
| （英） | The orthorhombic (O) phase of Hf oxides shows ferroelectricity even in ultra-thin films of ~5.0 nm. However, there are some issues of formation and thermal stability because the O phase is a metastable phase. In this study, the Hf oxides have formed by thermal oxidation of metallic Hf/metallic Zr stacked layers formed on a Si substrate. Here, the number of the stacked layer is four and each thickness is ~1.0 nm. After the formation, grazing incidence x-ray diffraction indicates strong signal of O/tetragonal (T) phase, although the signal related to the monoclinic (M) phase is also observed. When the sample thermally oxidized at 750°C were subjected to post metallization annealing (PMA) at 400°C in a nitrogen atmosphere after Ni upper electrode formation, the O/tetragonal (T) phase became dominant and showed residual polarization larger than those fabricated in the other conditions. |
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| キーワード | （和） | ハフニウム / ジルコニウム / 強誘電体 / 結晶構造 / 化学結合状態 / / / |
| （英） | Hafnium / Zirconium / Ferroelectricity / Crystalline structure / Chemical bonding feature / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 89, SDM2023-31, pp. 15-18, 2023年6月. | |
| 資料番号 | SDM2023-31 | |
| 発行日 | 2023-06-19 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2023-31 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2023-06-26 - 2023-06-26 |
| 開催地（和） | 広島大学 ナノデバイス研究所 |
| 開催地（英） | Hiroshima Univ. (Res. Inst. of Nanodevices) |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ・パワーデバイス高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices, Memories, and Power Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2023-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 熱酸化Zr/Hf多重積層構造の結晶構造および強誘電特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluations of Crystalline Structures and Ferroelectricity of Zr/Hf-Multilayer Structures Formed by Thermal Oxidization |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ハフニウム / Hafnium |
| キーワード(2)（和/英） | ジルコニウム / Zirconium |
| キーワード(3)（和/英） | 強誘電体 / Ferroelectricity |
| キーワード(4)（和/英） | 結晶構造 / Crystalline structure |
| キーワード(5)（和/英） | 化学結合状態 / Chemical bonding feature |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐野 友之輔 / Yunosuke Sano / サノ ユウノスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田岡 紀之 / Taoka Noriyuki / タオカ ノリユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 愛知工業大学 (略称： 愛知工大) Aichi Institute of Technology (略称： AIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牧原 克典 / Makihara Katsunori / マキハラ カツノリ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大田 晃生 / Ohta Akio / オオタ アキオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 福岡大学 (略称： 福岡大) Hukuoka University (略称： Hukuoka Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮﨑 誠一 / Miyazaki Seiichi / ミヤザキ セイイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-06-26 12:10:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2023-31 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.89 |
| ページ範囲 | pp.15-18 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-06-19 (SDM) |
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