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講演抄録/キーワード
講演名 2023-08-02 13:15
[招待講演]原子層堆積法によるInGaOチャネルとInSnO電極によるナノシート酸化物半導体トランジスタ
小林正治日掛凱斗李 卓ハオ ジュンシャンパンディ チトラ更屋拓哉平本俊郎東大)・高橋崇典上沼睦典浦岡行治奈良先端大SDM2023-45 ICD2023-24
抄録 (和) 半導体デバイスの大規模集積化においては,デバイスの二次元的な微細化に加えて三次元集積化によりデバイスの高密度化と高機能化を実現する動きが活発である。その中でモノリシック三次元集積化技術は,プロセッサとメモリを同一チップ上に積層させることを可能とし,エネルギー効率の高いコンピューティングに資する技術と考えられる。本講演では,モノリシック三次元集積可能なデバイスとして有望な酸化物半導体チャネルトランジスタについて,酸化物半導体のナノ薄膜の原子層堆積法による成膜技術を開発し,それを用いて試作したトランジスタについての組成・膜厚依存性等を系統的に調査し、高移動度・ノーマリーオフ動作・高信頼性なナノシートInGaOトランジスタを開発したので報告する。本講演はVLSI Symposium 2023で発表した内容に基づく. 
(英) (Not available yet)
キーワード (和) 酸化物半導体 / 原子層堆積法 / ナノシート / メモリ / / / /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 123, no. 143, SDM2023-45, pp. 45-49, 2023年8月.
資料番号 SDM2023-45 
発行日 2023-07-25 (SDM, ICD) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2023-45 ICD2023-24

研究会情報
研究会 SDM ICD ITE-IST  
開催期間 2023-08-01 - 2023-08-03 
開催地(和) 北海道大学 情報教育館 3F 
開催地(英) Hokkaido Univ. Multimedia Education Bldg. 3F 
テーマ(和) アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2023-08-SDM-ICD-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 原子層堆積法によるInGaOチャネルとInSnO電極によるナノシート酸化物半導体トランジスタ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A Nanosheet Oxide Semiconductor FET Using ALD InGaOx Channel and InSnOx Electrode for 3D Integrated Devices 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 酸化物半導体 /  
キーワード(2)(和/英) 原子層堆積法 /  
キーワード(3)(和/英) ナノシート /  
キーワード(4)(和/英) メモリ /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 正治 / Masaharu Kobayashi / コバヤシ マサハル
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 日掛 凱斗 / Kaito Hikake / ヒカケ カイト
第2著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 李 卓 / Zhuo Li / リ タク
第3著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) ハオ ジュンシャン / Junxiang Hao / ハオ ジュンシャン
第4著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) パンディ チトラ / Chitra Pandy / パンディ チトラ
第5著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 更屋 拓哉 / Takuya Saraya / サラヤ タクヤ
第6著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ
第7著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 崇典 / Takanori Takahashi / タカハシ タカノリ
第8著者 所属(和/英) 奈良先端大学 (略称: 奈良先端大)
NAIST (略称: NAIST)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 上沼 睦典 / Mutsunori Uenuma / ウエヌマ ムツノリ
第9著者 所属(和/英) 奈良先端大学 (略称: 奈良先端大)
NAIST (略称: NAIST)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル
第10著者 所属(和/英) 奈良先端大学 (略称: 奈良先端大)
NAIST (略称: NAIST)
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講演者 第1著者 
発表日時 2023-08-02 13:15:00 
発表時間 45分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2023-45, ICD2023-24 
巻番号(vol) vol.123 
号番号(no) no.143(SDM), no.144(ICD) 
ページ範囲 pp.45-49 
ページ数
発行日 2023-07-25 (SDM, ICD) 


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