| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2023-08-02 13:15
[招待講演]原子層堆積法によるInGaOチャネルとInSnO電極によるナノシート酸化物半導体トランジスタ ○小林正治・日掛凱斗・李 卓・ハオ ジュンシャン・パンディ チトラ・更屋拓哉・平本俊郎(東大)・高橋崇典・上沼睦典・浦岡行治(奈良先端大) SDM2023-45 ICD2023-24 |
| 抄録 |
(和) |
半導体デバイスの大規模集積化においては,デバイスの二次元的な微細化に加えて三次元集積化によりデバイスの高密度化と高機能化を実現する動きが活発である。その中でモノリシック三次元集積化技術は,プロセッサとメモリを同一チップ上に積層させることを可能とし,エネルギー効率の高いコンピューティングに資する技術と考えられる。本講演では,モノリシック三次元集積可能なデバイスとして有望な酸化物半導体チャネルトランジスタについて,酸化物半導体のナノ薄膜の原子層堆積法による成膜技術を開発し,それを用いて試作したトランジスタについての組成・膜厚依存性等を系統的に調査し、高移動度・ノーマリーオフ動作・高信頼性なナノシートInGaOトランジスタを開発したので報告する。本講演はVLSI Symposium 2023で発表した内容に基づく. |
| (英) |
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| キーワード |
(和) |
酸化物半導体 / 原子層堆積法 / ナノシート / メモリ / / / / |
| (英) |
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| 文献情報 |
信学技報, vol. 123, no. 143, SDM2023-45, pp. 45-49, 2023年8月. |
| 資料番号 |
SDM2023-45 |
| 発行日 |
2023-07-25 (SDM, ICD) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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