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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-08-03 14:40 Real-Time Gate Current Change Gate Driver IC to Adapt to Operating Condition Variations of SiC MOSFETs ○Dibo Zhang・Kohei Horii・Katsuhiro Hata・Makoto Takamiya（UTokyo）  SDM2023-52 ICD2023-31 |
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| 抄録 | （和） | A digital gate driver IC with real-time gate current (IG) change by sensing drain current (ID) is applied to SiC MOSFETs, and it is demonstrated that the IC always reduces switching loss and switching noise by always performing appropriate active gate driving even when the operating conditions of SiC MOSFETs, such as load current and junction temperature, change. The IC integrates all of a current-source based digital gate driver which changes IG in 6 bits, a dID/dt sensor to detect IG switching timing, and a controller into a single chip. In the turn-on measurement of an SiC MOSFET at 600 V and 25 ˚C, when the load current changes to 20 A, 70 A, and 120 A, compared with the conventional single-step gate drive, the active gate drive using the developed IC reduced the switching loss by 17 %, 12 %, and 11 % under ID overshoot-aligned condition, respectively. |
| （英） | A digital gate driver IC with real-time gate current (IG) change by sensing drain current (ID) is applied to SiC MOSFETs, and it is demonstrated that the IC always reduces switching loss and switching noise by always performing appropriate active gate driving even when the operating conditions of SiC MOSFETs, such as load current and junction temperature, change. The IC integrates all of a current-source based digital gate driver which changes IG in 6 bits, a dID/dt sensor to detect IG switching timing, and a controller into a single chip. In the turn-on measurement of an SiC MOSFET at 600 V and 25 ˚C, when the load current changes to 20 A, 70 A, and 120 A, compared with the conventional single-step gate drive, the active gate drive using the developed IC reduced the switching loss by 17 %, 12 %, and 11 % under ID overshoot-aligned condition, respectively. | |
| キーワード | （和） | Gate driver / switching loss / switching noise / SiC / / / / |
| （英） | Gate driver / switching loss / switching noise / SiC / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 144, ICD2023-31, pp. 70-73, 2023年8月. | |
| 資料番号 | ICD2023-31 | |
| 発行日 | 2023-07-25 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2023-52 ICD2023-31 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ICD ITE-IST |
| 開催期間 | 2023-08-01 - 2023-08-03 |
| 開催地（和） | 北海道大学 情報教育館 3F |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ. Multimedia Education Bldg. 3F |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2023-08-SDM-ICD-IST |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Real-Time Gate Current Change Gate Driver IC to Adapt to Operating Condition Variations of SiC MOSFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Gate driver / Gate driver |
| キーワード(2)（和/英） | switching loss / switching loss |
| キーワード(3)（和/英） | switching noise / switching noise |
| キーワード(4)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | Dibo Zhang / Dibo Zhang / |
| 第1著者 所属（和/英） | the University of Tokyo (略称： 東大) the University of Tokyo (略称： UTokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Kohei Horii / Kohei Horii / |
| 第2著者 所属（和/英） | the University of Tokyo (略称： 東大) the University of Tokyo (略称： UTokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Katsuhiro Hata / Katsuhiro Hata / |
| 第3著者 所属（和/英） | the University of Tokyo (略称： 東大) the University of Tokyo (略称： UTokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | Makoto Takamiya / Makoto Takamiya / |
| 第4著者 所属（和/英） | the University of Tokyo (略称： 東大) the University of Tokyo (略称： UTokyo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-08-03 14:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | SDM2023-52, ICD2023-31 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.143(SDM), no.144(ICD) |
| ページ範囲 | pp.70-73 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-07-25 (SDM, ICD) |
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