| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-08-03 09:30 ［招待講演］二次元原子層材料デバイスの現状課題と開発展望 ○長汐晃輔（東大）  SDM2023-48 ICD2023-27 |
|
| 抄録 | （和） | 2011年にEPFLのKisらによるHfO2トップゲート単層MoS2 FETの報告からすでに約10年が経過した．結合の閉じたダングリングボンドの無いCNT・グラフェンに対する理解の積み上げにより現在の2Dデバイスの基礎が形成され，2020年に発表したimecのロードマップにおいて1 nmプロセス以降への適応が真剣に検討されている． 「成長」から「集積化」まで大きなブレークスルーだと個人的に感じている結果を中心に紹介する．成長に関しては，100％のカバレッジにおける粒径(<1 µm)及び結晶性にまだ課題が残るもののMOCVDによる4インチサイズの大面積化は産業応用上の鍵となる結果である．それ故，2D材料特有のウエハースケールでの転写技術の確立は重要な技術課題の一つである．単一トランジスタにおける要素技術を見た場合，一番のボトルネックはドーピング技術が未確立である点である．最近になり成長中及び成長後の置換型ドーピングに関する結果が報告されてきているものの依然として研究段階である．このため，すでに急峻なスイッチング特性と高いオン電流特性を示すWS2やMoS2のN型FETが多数報告されている一方で，P型に関しては低い特性に留まっているのが現状である．集積化に関して，2020年に54,640個のFETによりinverter, NAND, SRAM, リングオシレータ等のロジック回路が報告されたが，N型FETのディプレッションモードとエンハンスメントモードにより形成したインバータを利用しており，P/Nを作り分け集積化されたものは報告されていない．一方で，MoS2の3層ナノシート構造が昨年のIEDMで報告され，大きな進展を見せている．今後の更なる展開には，ドーピング及び金属/2Dのショットキー界面制御によるP型FETの確立が最重要課題である． 本講演では，2Dデバイスにおける我々の取り組みを紹介しつつ，将来展望を議論したい． |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 143, SDM2023-48, pp. 60-60, 2023年8月. | |
| 資料番号 | SDM2023-48 | |
| 発行日 | 2023-07-25 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2023-48 ICD2023-27 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ICD ITE-IST |
| 開催期間 | 2023-08-01 - 2023-08-03 |
| 開催地（和） | 北海道大学 情報教育館 3F |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ. Multimedia Education Bldg. 3F |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2023-08-SDM-ICD-IST |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 二次元原子層材料デバイスの現状課題と開発展望 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Current issue & development prospects for 2D layered material devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
| キーワード(2)（和/英） | / |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長汐 晃輔 / Kosuke Nagashio / ナガシオ コウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： UTokyo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-08-03 09:30:00 |
| 発表時間 | 45分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2023-48, ICD2023-27 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.143(SDM), no.144(ICD) |
| ページ範囲 | p.60 |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2023-07-25 (SDM, ICD) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]