| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-08-24 15:50 ［招待講演］層状六方晶窒化ホウ素上の窒化物半導体成長とその応用 ○小林康之（弘前大）・廣木正伸・熊倉一英（NTT）  R2023-24 EMD2023-19 CPM2023-29 OPE2023-68 LQE2023-15 |
|
| 抄録 | （和） | 六方晶窒化ホウ素(h-BN)は，層間がファンデルワールス力により結合された六方晶系グラファイト構造の層状物質である．我々は，有機金属気相成長(MOVPE)によりサファイア基板上の膜厚3 nmのh-BN層上にGaN系デバイス構造を成長し，そのGaN系デバイス構造がサファイア基板から他の基板に剥離転写できることを実証した．MOVPEと比較して，分子線エピタキシー(MBE)は低温成長が可能であり，原料間の気相反応が生じないためh-BNの原子レベルでの膜厚制御が可能等の利点を有している．本研究では，MOVPEとMBEによるh-BN上のGaN薄膜成長とその応用について報告する． |
| （英） | We have successfully demonstrated that nitride semiconductors were grown on 3-nm-thick hexagonal boron nitride (h-BN) layer grown on sapphire substrates with metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) and that the h-BN layer enabled us to release the nitride semiconductors from the host sapphire substrates. Here we report on molecular beam epitaxy (MBE) growth of nitride semiconductors on h-BN layers with MBE. | |
| キーワード | （和） | 六方晶窒化ホウ素 / 窒化物半導体 / 有機金属気相成長 / 分子線エピタキシー / / / / |
| （英） | hexagonal boron nitride / nitride semiconductors / MOVPE / MBE / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 160, CPM2023-29, pp. 42-44, 2023年8月. | |
| 資料番号 | CPM2023-29 | |
| 発行日 | 2023-08-17 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | R2023-24 EMD2023-19 CPM2023-29 OPE2023-68 LQE2023-15 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE OPE CPM EMD R |
| 開催期間 | 2023-08-24 - 2023-08-25 |
| 開催地（和） | 東北大学 電気通信研究所本館 オープンセミナールーム(M153) |
| 開催地（英） | Tohoku university |
| テーマ（和） | 受光素子，変調器，光部品・電子デバイス実装・信頼性，及び一般 |
| テーマ（英） | Photodetectors, Modulators, Optical Electrical device packaging and reliability |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2023-08-LQE-OPE-CPM-EMD-R |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 層状六方晶窒化ホウ素上の窒化物半導体成長とその応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth and applications of nitride semiconductors on h-BN |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 六方晶窒化ホウ素 / hexagonal boron nitride |
| キーワード(2)（和/英） | 窒化物半導体 / nitride semiconductors |
| キーワード(3)（和/英） | 有機金属気相成長 / MOVPE |
| キーワード(4)（和/英） | 分子線エピタキシー / MBE |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 康之 / Yasuyuki Kobayashi / コバヤシ ヤスユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 廣木 正伸 / Masanobu Hiroki / ヒロキ マサノブ |
| 第2著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 (略称： NTT) NTT Basic Research Laboratories (略称： NTT Basic Research Lab.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 熊倉 一英 / Kazuhide Kumakura / クマクラ カズヒデ |
| 第3著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 (略称： NTT) NTT Basic Research Laboratories (略称： NTT Basic Research Lab.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-08-24 15:50:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | R2023-24, EMD2023-19, CPM2023-29, OPE2023-68, LQE2023-15 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.158(R), no.159(EMD), no.160(CPM), no.161(OPE), no.162(LQE) |
| ページ範囲 | pp.42-44 |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2023-08-17 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]