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| 講演名 | 2023-08-25 09:50 ［招待講演］InPチップ/SOIウェハ接合技術を用いた集積光デバイスの進展と今後の展望 ○八木英樹（光電子融合基盤技研）・西山伸彦（東工大）・藤原直樹・柳沢昌輝（光電子融合基盤技研）  R2023-28 EMD2023-23 CPM2023-33 OPE2023-72 LQE2023-19 |
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| 抄録 | （和） | Beyond 5 G・6 Gといったワイヤレス通信技術の進展に伴い, 通信量が増大し, 2030年代には一つのトランシーバに要求されるデータレートが10 Tbpsを超えると予想されている．一方, 光通信システムを支えてきた単一材料光デバイスにおいては, 10 Tbps級のデータ伝送に向けた広帯域化と低消費電力化の両立に限界が見え始めており, 技術的なブレークスルーが求められている．その中で, 光通信に広く利用されてきたIII-V族化合物半導体とシリコンフォトニクスのそれぞれの利点を組み合わせた異種材料集積光デバイスは, その有望なアプローチの一つとして期待されている．本稿では異種材料集積技術として, InPチップ/SOIウェハ接合技術を用いた集積光デバイスのこれまでの進展と今後の展望について議論する． |
| （英） | The development of beyond fifth-generation (5G) and sixth-generation (6G) mobile communication systems is accelerating the increase of data traffic, and it is anticipated that a data rate of more than 10 Tbps will be required in one transceiver by 2030. On the other hand, conventional single-material photonic devices supporting optical communication systems seem to have limitations to achieve both high-speed operation and low power dissipation towards 10 Tbps-class data transmission. To overcome this technical challenge, heterogeneous integration which combines the advantages of III-V compound semiconductors and silicon photonics is expected as one of promising approaches. This paper discusses about the progress and future prospect of photonic integrated devices using InP chip/SOI wafer bonding technique. | |
| キーワード | （和） | 異種材料集積 / チップ/ウェハ直接接合 / InP / シリコンフォトニクス / 波長可変レーザ / / / |
| （英） | Heterogeneous integration / Chip-on-wafer direct bonding / InP / Silicon photonics / Wavelength tunable lasers / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 162, LQE2023-19, pp. 59-62, 2023年8月. | |
| 資料番号 | LQE2023-19 | |
| 発行日 | 2023-08-17 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | R2023-28 EMD2023-23 CPM2023-33 OPE2023-72 LQE2023-19 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE OPE CPM EMD R |
| 開催期間 | 2023-08-24 - 2023-08-25 |
| 開催地（和） | 東北大学 電気通信研究所本館 オープンセミナールーム(M153) |
| 開催地（英） | Tohoku university |
| テーマ（和） | 受光素子，変調器，光部品・電子デバイス実装・信頼性，及び一般 |
| テーマ（英） | Photodetectors, Modulators, Optical Electrical device packaging and reliability |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2023-08-LQE-OPE-CPM-EMD-R |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | InPチップ/SOIウェハ接合技術を用いた集積光デバイスの進展と今後の展望 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Progress and Future Prospect of Photonic Integrated Devices using InP Chip/SOI Wafer Bonding Technique |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 異種材料集積 / Heterogeneous integration |
| キーワード(2)（和/英） | チップ/ウェハ直接接合 / Chip-on-wafer direct bonding |
| キーワード(3)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(4)（和/英） | シリコンフォトニクス / Silicon photonics |
| キーワード(5)（和/英） | 波長可変レーザ / Wavelength tunable lasers |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 八木 英樹 / Hideki Yagi / ヤギ ヒデキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 (略称： 光電子融合基盤技研) Photonics Electronics Technology Research Association (略称： PETRA) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西山 伸彦 / Nobuhiko Nishiyama / ニシヤマ ノブヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤原 直樹 / Naoki Fujiwara / フジワラ ナオキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 (略称： 光電子融合基盤技研) Photonics Electronics Technology Research Association (略称： PETRA) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柳沢 昌輝 / Masaki Yanagisawa / ヤナギサワ マサキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 (略称： 光電子融合基盤技研) Photonics Electronics Technology Research Association (略称： PETRA) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-08-25 09:50:00 |
| 発表時間 | 10分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | R2023-28, EMD2023-23, CPM2023-33, OPE2023-72, LQE2023-19 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.158(R), no.159(EMD), no.160(CPM), no.161(OPE), no.162(LQE) |
| ページ範囲 | pp.59-62 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-08-17 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |
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