講演抄録/キーワード |
講演名 |
2023-09-28 10:10
周波数選択性並列帰還回路を有する C-Ku 帯 GaN MMIC 低雑音増幅器 ○久樂 顕・神岡 純・桑田英悟・山口裕太郎・加茂宣卓・新庄真太郎(三菱電機) MW2023-81 |
抄録 |
(和) |
マイクロ波送受信モジュール向けのC-Ku帯広帯域GaN低雑音増幅器( LNA)について報告する.広帯域化と低雑音化を両立するために, 周波数選択性並列帰還回路を提案する. 提案回路は, 最大動作周波数付近でトランジスタのドレイン・ソース間容量と直列共振するインダクタと, 帯域外高周波で増幅器を安定化させるためにインダクタと並列に装荷した抵抗により, 帯域外高周波での安定化とC-Ku帯でのNFと利得の良好な特性を実現する. 提案回路を使用してC-Ku帯のGaN MMIC LNAを試作し, 評価を行った結果, ドレイン電圧12 V, ドレイン電流100 mA/mmで, 6-18 GHzにおいて, 2.5 dB以下のNFと17 dB以上の利得を実現した. 試作したC-Ku帯GaN MMIC LNAは世界最高水準の低NFを達成した. |
(英) |
This paper represents a C-Ku band GaN MMIC low noise amplifier (LNA) for a transmitter and receiver module. In order to achieve both broadband and low noise figure, frequency selective parallel feedback circuit is proposed. The proposed circuit enables the stabilization at the out-of-high frequency and favorable characteristics of NF and gain in C-Ku band, which features inductor in series resonant with drain-source capacitance near the maximum operation frequency, and resistor employed in parallel with inductor to stabilize amplifier at the out-of-band high-frequency. As a result, a GaN MMIC LNA with NF below 2.5 dB and practical gain of greater than 17dB were achieved at a drain voltage of 12 V and quiescent drain current of 100 mA/mm at 6 to 18 GHz. The C-Ku band GaN low noise amplifier exhibits world-class low NF. |
キーワード |
(和) |
GaN HEMT / 低雑音増幅器 / MMIC / 広帯域 / 帰還回路 / / / |
(英) |
GaN HEMT / Low Noise Amplifier / MMIC / Broadband / Feedback circuit / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 123, no. 195, MW2023-81, pp. 7-10, 2023年9月. |
資料番号 |
MW2023-81 |
発行日 |
2023-09-21 (MW) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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MW2023-81 |