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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-10-13 16:20 サファイア基板上への酸化ガリウム薄膜の形成と基礎評価 ○今泉文伸・森田拓海（小山高専）  SDM2023-59 |
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| 抄録 | （和） | 近年、半導体材料の開発としてワイドバンドギャップの材料開発の重要性が高まっている。特に光デバイスやパワーデバイスの開発が多く行われている。多くの材料の中で、酸化ガリウムはワイドバンドギャップ材料（Eg = 4.4~5.3eV）であり、高耐圧で低損失なパワーデバイスへの応用が期待されている。 本研究では、RFスパッタリング法を用いて酸化ガリウム薄膜を形成し、XRDを用いてその基本的な結晶構造について調べた。サファイア基板とLiNbO3基板上に、Ga2O3を成膜し、その配向性のアニール温度依存性について調べた。さらに断面構造について調査に、薄膜の均一性についても評価した |
| （英） | Recently, the development of wide bandgap semiconductor materials has become increasingly important. In particular, there has been much development of optical and power devices. Gallium oxide in many materials is a wide bandgap material (Eg = 4.4~5.3 eV) and is expected to be applied to power devices with high breakdown voltage and low loss energy. In this study, Gallium oxide thin films were formed by RF sputtering and their basic crystal structures were investigated by XRD. Ga2O3 films were deposited on sapphire and LiNbO3 substrates, and the dependence of the orientation on annealing temperature was investigated. In addition, the cross-sectional structure was investigated and the uniformity of the thin films was evaluated. |
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| キーワード | （和） | 酸化ガリウム / サファイア基板 / / / / / / |
| （英） | Gallium Oxide / Sapphire Substrate / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 211, SDM2023-59, pp. 34-39, 2023年10月. | |
| 資料番号 | SDM2023-59 | |
| 発行日 | 2023-10-06 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2023-59 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2023-10-13 - 2023-10-13 |
| 開催地（和） | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2023-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | サファイア基板上への酸化ガリウム薄膜の形成と基礎評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation and basic evaluation of gallium oxide thin film on sapphire substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化ガリウム / Gallium Oxide |
| キーワード(2)（和/英） | サファイア基板 / Sapphire Substrate |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 今泉 文伸 / Fuminobu Imaizumi / イマイズミ フミノブ |
| 第1著者 所属（和/英） | 小山工業高等専門学校 (略称： 小山高専) National Institute of Technology, Oyama College (略称： NIT, Oyama college) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森田 拓海 / Takumi Morita / モリタ タクミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 小山工業高等専門学校 (略称： 小山高専) National Institute of Technology, Oyama College (略称： NIT, Oyama college) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-10-13 16:20:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2023-59 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.211 |
| ページ範囲 | pp.34-39 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2023-10-06 (SDM) |
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