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講演抄録/キーワード
講演名 2023-11-16 09:30
リーク電流による電荷蓄積型エイジングセンサ回路の提案と実機評価
福島未菜王 松祥永井海音宇佐美公良芝浦工大VLD2023-43 ICD2023-51 DC2023-50 RECONF2023-46
抄録 (和) BTI(Bias Temperature Instability)による動作不良が問題視されている.経年劣化によりpMOSのしきい値V_thが変化すると,リーク電流量が変化する.この性質を利用して,リーク電流による電荷が容量に蓄積される時間をカウンタで計測しNBTIを検出するエイジングセンサ回路を提案する.提案回路を搭載した試作チップに対し加速試験を行った結果,ストレス時間とストレス温度を増大させることで,pMOSのV_th増大に起因して,電荷の蓄積にかかる時間が長くなる現象が観測された. 
(英) Operation failure due to BTI (Bias Temperature Instability) is a critical concern. As the pMOS threshold V_th changes over time, the amount of leakage current changes. Using this property, we propose an aging sensor circuit that detects NBTI by measuring the time it takes for charge due to leakage current to accumulate in the capacitance with a counter. Acceleration tests were conducted on a prototype chip equipped with the proposed circuit. It was observed that the time required for charge accumulation increases as the stress time is increased, due to the increase in V_th of the pMOS.
キーワード (和) BTI / NBTI / 経年劣化 / エイジングセンサ / / / /  
(英) BTI / NBTI / aging sensor / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 123, no. 258, VLD2023-43, pp. 76-81, 2023年11月.
資料番号 VLD2023-43 
発行日 2023-11-08 (VLD, ICD, DC, RECONF) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード VLD2023-43 ICD2023-51 DC2023-50 RECONF2023-46

研究会情報
研究会 VLD DC RECONF ICD IPSJ-SLDM  
開催期間 2023-11-15 - 2023-11-17 
開催地(和) くまもと市民会館シアーズホーム夢ホール 
開催地(英) Civic Auditorium Sears Home Yume Hall 
テーマ(和) デザインガイア2023 -VLSI設計の新しい大地- 
テーマ(英) Design Gaia 2023 -New Field of VLSI Design- 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 VLD 
会議コード 2023-11-VLD-DC-RECONF-ICD-SLDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) リーク電流による電荷蓄積型エイジングセンサ回路の提案と実機評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Leakage-current Based Charge Accumulating Aging Sensor Circuit and Evaluation of NBTI Using Fabricated Chips 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) BTI / BTI  
キーワード(2)(和/英) NBTI / NBTI  
キーワード(3)(和/英) 経年劣化 / aging sensor  
キーワード(4)(和/英) エイジングセンサ /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 福島 未菜 / Mina Fukushima / フクシマ ミナ
第1著者 所属(和/英) 芝浦工業大学 (略称: 芝浦工大)
Shibaura Institute of Technology (略称: SIT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 王 松祥 / Songxiang Wang / オウ ショウショウ
第2著者 所属(和/英) 芝浦工業大学 (略称: 芝浦工大)
Shibaura Institute of Technology (略称: SIT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 永井 海音 / Kaito Nagai / ナガイ カイト
第3著者 所属(和/英) 芝浦工業大学 (略称: 芝浦工大)
Shibaura Institute of Technology (略称: SIT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 宇佐美 公良 / Kimiyoshi Usami / ウサミ キミヨシ
第4著者 所属(和/英) 芝浦工業大学 (略称: 芝浦工大)
Shibaura Institute of Technology (略称: SIT)
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講演者 第1著者 
発表日時 2023-11-16 09:30:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 VLD 
資料番号 VLD2023-43, ICD2023-51, DC2023-50, RECONF2023-46 
巻番号(vol) vol.123 
号番号(no) no.258(VLD), no.259(ICD), no.260(DC), no.261(RECONF) 
ページ範囲 pp.76-81 
ページ数
発行日 2023-11-08 (VLD, ICD, DC, RECONF) 


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