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講演抄録/キーワード
講演名 2023-11-16 13:50
4.3Vppの出力電圧とパルス幅制御機能を備えた高速GaN スイッチング型エンベロープ増幅器用45nm SOI-CMOSドライバ回路
竹添慎司森野芳昭坂田修一山本 航齋木研人平井暁人三菱電機MW2023-130
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 信学技報, vol. 123, no. 268, MW2023-130, pp. 23-26, 2023年11月.
資料番号 MW2023-130 
発行日 2023-11-09 (MW) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード MW2023-130

研究会情報
研究会 MW  
開催期間 2023-11-16 - 2023-11-17 
開催地(和) 名護市産業支援センター(沖縄) 
開催地(英) Nago City Industrial Support Center (Okinawa) 
テーマ(和) マイクロ波一般 
テーマ(英) Microwave, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MW 
会議コード 2023-11-MW 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 4.3Vppの出力電圧とパルス幅制御機能を備えた高速GaN スイッチング型エンベロープ増幅器用45nm SOI-CMOSドライバ回路 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A 45nm SOI-CMOS Puls-Width-Controlled Driver Circuit with 4.3Vpp Output Voltage for High-Speed Switch-Mode GaN Envelope Amplifiers 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹添 慎司 / Shinji Takezoe / タケゾエ シンジ
第1著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 森野 芳昭 / Yoshiaki Morino / モリノ ヨシアキ
第2著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 坂田 修一 / Shuichi Sakata / サカタ シュウイチ
第3著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 航 / Wataru Yamamoto / ヤマモト ワタル
第4著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 齋木 研人 / Kento Saiki / サイキ ケント
第5著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 平井 暁人 / Hirai Akihito / ヒライ アキヒト
第6著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric)
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講演者 第1著者 
発表日時 2023-11-16 13:50:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 MW 
資料番号 MW2023-130 
巻番号(vol) vol.123 
号番号(no) no.268 
ページ範囲 pp.23-26 
ページ数
発行日 2023-11-09 (MW) 


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