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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-11-27 16:35 エピScAlN圧電薄膜／エピ音響ブラッグ反射器構造のSMR ○渡海 智・柳谷隆彦（早大）  US2023-55 |
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| 抄録 | （和） | 単結晶圧電薄膜は、多結晶の場合に比べ耐電力性やQ値が高いという特徴を持つ。しかし、SMR (Solidly Mounted Resonator)においては、通常音響ブラッグ反射器が多結晶もしくはアモルファスで構成されるため、その上の圧電層の単結晶化は困難である。本研究では、単結晶薄膜の代表的な作製方法の1つであるエピタキシャル成長技術を用いることで、音響ブラッグ反射器自体を基板からエピタキシャル成長させた。さらに、下部電極および圧電層をエピタキシャル成長させ、すべての層がエピタキシャル薄膜から成るSMRの作製を試みた。その後、エピタキシャル薄膜の結晶配向性の評価およびSMRの圧電特性の測定を行った。 |
| （英） | Single crystalline piezoelectric thin films possess higher power durability and Q factor than polycrystalline ones. However, since acoustic Bragg reflectors are generally composed of polycrystalline or amorphous materials in SMR, it is difficult to fabricate single crystalline piezoelectric layers on acoustic Bragg reflector. In this study, the acoustic Bragg reflector itself was epitaxially grown from the substrate using epitaxial growth technique, which is one of the typical fabrication methods for single crystalline thin films. Furthermore, the bottom electrode and piezoelectric layer were epitaxially grown on epitaxial acoustic Bragg reflector. The crystal orientation of the epitaxial thin film was evaluated by X-ray diffraction and the impedance characteristic of epitaxial SMR were measured by a network analyzer. | |
| キーワード | （和） | BAWフィルタ / SMR / エピタキシャル成長 / ScAlN圧電薄膜 / / / / |
| （英） | BAW filter / SMR / Epitaxial growth / ScAlN piezoelectric thin films / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 286, US2023-55, pp. 67-72, 2023年11月. | |
| 資料番号 | US2023-55 | |
| 発行日 | 2023-11-20 (US) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | US2023-55 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | US |
| 開催期間 | 2023-11-27 - 2023-11-27 |
| 開催地（和） | 静岡大学 |
| 開催地（英） | Shizuoka University |
| テーマ（和） | 超音波一般 |
| テーマ（英） | Ultrasonics, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | US |
| 会議コード | 2023-11-US |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | エピScAlN圧電薄膜／エピ音響ブラッグ反射器構造のSMR |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | SMR based on epitaxial ScAlN piezoelectric thin films/epitaxial acoustic Bragg reflector |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | BAWフィルタ / BAW filter |
| キーワード(2)（和/英） | SMR / SMR |
| キーワード(3)（和/英） | エピタキシャル成長 / Epitaxial growth |
| キーワード(4)（和/英） | ScAlN圧電薄膜 / ScAlN piezoelectric thin films |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡海 智 / Satoshi Tokai / トカイ サトシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柳谷 隆彦 / Takahiko Yanagitani / ヤナギタニ タカヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-11-27 16:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | US |
| 資料番号 | US2023-55 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.286 |
| ページ範囲 | pp.67-72 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2023-11-20 (US) |
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