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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-11-30 14:20 ALD-Al2O3絶縁ゲート構造の欠陥低減に向けた水蒸気酸化技術 ○尾崎史朗・熊崎祐介・岡本直哉・中舍安宏・多木俊裕・原 直紀（富士通）  ED2023-17 CPM2023-59 LQE2023-57 |
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| 抄録 | （和） | 高周波デバイスに適用可能な原子層堆積(ALD：Atomic Layer Deposition)-Al2O3絶縁ゲート構造を実現するため、欠陥低減に向けた水蒸気酸化技術を開発した。ALD-Al2O3の原料ガスであるトリメチルアルミニウム(TMA: Trimethylaluminum)に起因した炭素系不純物を低減するため、メチル基(–CH3)の酸化反応に着目し、酸素原料の残留不純物への影響を調査した。その結果、酸素原料としてO2 プラズマを用いた際には、–CH3の酸化分解によってカルボニル化合物が生成し、ALD-Al2O3中に炭素系不純物が残留することを見出した。一方、加水分解反応により–CH3を低減可能なH2O 蒸気は、ALD後に水酸基(–OH)は生成するものの、過熱水蒸気を用いたスチームアニールを施すことで、Al–OHの脱水縮合反応を促進でき、新たなAl–O結合の形成により、酸素空孔等の欠陥低減に有効であることを明らかにした。 |
| （英） | In this study, we investigated the effect of oxidant sources on carbon-related impurities in atomic layer deposited (ALD)-Al2O3 by focusing on plasma-induced decomposition of –CH3 groups which attributed in ALD precursor. We found that the C–O bonds were detected in the ALD-Al2O3 using O2 plasma instead of the C–H bonds which attributed to –CH3 groups of trimethylaluminum. It is considered that the decomposition of –CH3 groups was enhanced by O2 plasma, and C–O residue was generated. We concluded that the decomposition of –CH3 groups by oxidant sources must be suppressed to reduce the carbon-related impurities in ALD-Al2O3. | |
| キーワード | （和） | ALD-Al2O3 / 酸素原料 / 炭素系不純物 / O2プラズマ水蒸気 / H2O 蒸気 / / / |
| （英） | ALD-Al2O3 / oxidant Sources / carbon-related impurities / O2 plasma / H2O vapor / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 288, ED2023-17, pp. 15-20, 2023年11月. | |
| 資料番号 | ED2023-17 | |
| 発行日 | 2023-11-23 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2023-17 CPM2023-59 LQE2023-57 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2023-11-30 - 2023-12-01 |
| 開催地（和） | アクトシティ浜松 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2023-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ALD-Al2O3絶縁ゲート構造の欠陥低減に向けた水蒸気酸化技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Steam Oxidation Technique for Defect Reduction on ALD-Al2O3 Insulated-gate structures |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ALD-Al2O3 / ALD-Al2O3 |
| キーワード(2)（和/英） | 酸素原料 / oxidant Sources |
| キーワード(3)（和/英） | 炭素系不純物 / carbon-related impurities |
| キーワード(4)（和/英） | O2プラズマ水蒸気 / O2 plasma |
| キーワード(5)（和/英） | H2O 蒸気 / H2O vapor |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尾崎 史朗 / Shiro Ozaki / オザキ シロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Ltd. (略称： Fujitsu) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 熊崎 祐介 / Yusuke Kumazaki / クマザキ ユウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Ltd. (略称： Fujitsu) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡本 直哉 / Naoya Okamoto / オカモト ナオヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Ltd. (略称： Fujitsu) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中舍 安宏 / Yasuhiro Nakasya / ナカシャ ヤスヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Ltd. (略称： Fujitsu) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 多木 俊裕 / Toshihiro Tagi / タギ トシヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Ltd. (略称： Fujitsu) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 直紀 / Naoki Hara / ハラ ナオキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Ltd. (略称： Fujitsu) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-11-30 14:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2023-17, CPM2023-59, LQE2023-57 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) |
| ページ範囲 | pp.15-20 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2023-11-23 (ED, CPM, LQE) |
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