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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-11-30 13:55 ALDにより形成した絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HFETに対するゲートリセスエッチング後表面処理の効果 ○久保俊晴・江川孝志（名工大）  ED2023-16 CPM2023-58 LQE2023-56 |
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| 抄録 | （和） | ALD-SiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたゲートリセス構造を有するノーマリオフ型AlGaN/GaN MIS-HFETでは、リセス構造形成時のエッチングダメージによる特性の劣化が課題の一つである。我々はこれまで、エッチング後のI/S界面の改善を図るため、HCl処理とアニール処理による表面処理を施したMIS-HFETを作製し、その電気特性の評価を行ってきた。HCl処理と500℃アニールを組み合わせることでエッチング面のRMSはエッチング前と同程度まで減少し、また、ΔVthは0.56 Vまで減少した。本研究では、Igについてその温度特性を評価したところ、表面処理によりIgは二桁程度減少し、測定温度を200℃まで上昇させてもIgは5.6×10-6 mA/mmに抑制された。本研究より、エッチング面に対するHCl処理とアニール処理を組み合わせた表面処理は効果的であり、エッチングダメージが低減されたデバイスが作製可能であることが確認された。 |
| （英） | Degradation of electrical characteristics due to etching damage during formation of recess structure has been an issue for normally-off type AlGaN/GaN MIS-HFETs with recessed gate structure using ALD-SiO2/Al2O3 double insulator. In order to improve the I/S interface after etching, we have fabricated MIS-HFETs with HCl and annealing treatments and evaluated the electrical properties. We confirmed that the RMS of the etched surface decreased to almost the same value as that before etching by the surface treatment combining HCl treatment and 500℃ annealing. Furthermore, ΔVth decreased to 0.56 V. In this study, we investigated the temperature dependence of Ig and found that the Ig was reduced by two orders of magnitude by the surface treatment and the Ig was suppressed under 5.6×10-6 mA/mm even by increasing the temperature up to 200℃. We confirmed that the surface treatment by HCl and annealing treatments is effective for the etching surface, and it is possible to fabricate devices with reduced etching damage. | |
| キーワード | （和） | GaN / MIS / HFET / SiO2 / Aｌ2O3 / / / |
| （英） | GaN / MIS / HFET / SiO2 / Al2O3 / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 288, ED2023-16, pp. 11-14, 2023年11月. | |
| 資料番号 | ED2023-16 | |
| 発行日 | 2023-11-23 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2023-16 CPM2023-58 LQE2023-56 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2023-11-30 - 2023-12-01 |
| 開催地（和） | アクトシティ浜松 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2023-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ALDにより形成した絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HFETに対するゲートリセスエッチング後表面処理の効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of surface treatments after gate recess etching on AlGaN/GaN MIS-HFETs with insulators formed by ALD |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | MIS / MIS |
| キーワード(3)（和/英） | HFET / HFET |
| キーワード(4)（和/英） | SiO2 / SiO2 |
| キーワード(5)（和/英） | Aｌ2O3 / Al2O3 |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 久保 俊晴 / Toshiharu Kubo / クボ トシハル |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Technol.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Technol.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-11-30 13:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2023-16, CPM2023-58, LQE2023-56 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) |
| ページ範囲 | pp.11-14 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-11-23 (ED, CPM, LQE) |
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