| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-11-30 15:20 Mgの熱拡散によるp型GaNの実現とデバイス応用への課題 ○伊藤佑太・渡邉浩崇・出来真斗・新田州吾・田中敦之・本田善夫・天野 浩（名大）  ED2023-19 CPM2023-61 LQE2023-59 |
|
| 抄録 | （和） | 縦型GaNパワーデバイスの実現には, 局所的なp型ドーピング技術の確立が必要不可欠である. しかし, 代表的な不純物ドーピング手法であるMgイオン注入では, イオン注入及び回復アニール時に形成されるMg偏析欠陥やドナー性欠陥がp 型伝導性制御を困難にしている. そこで, 我々はドーピング時に形成される欠陥が比較的少ないMg熱拡散法に着目した. Mg 熱拡散ドーピングはGaN結晶中のMg拡散係数の低さから, デバイス設計に適した拡散長が得られないと考えられていた. しかし, 独自のMg拡散源を用いることでMgの熱拡散を促進 させ，数百 nm 程度の拡散長を得るとともに, 大気圧下での熱処理で良好なp型伝導性を示すGaNの作製・評価に成功した. 本発表では, Mg熱拡散ドーピングプロセス及びp型伝導性の評価について報告する. |
| （英） | Establishment of a localized p-type doping technique is essential to realize vertical GaN power devices. However, in Mg ion implantation, which is a typical impurity doping technique, the control of p-type conductivity is difficult because of Mg segregation defects and donor defects formed during ion implantation and recovery annealing. Therefore, we focused on the Mg thermal diffusion method, which has relatively few defects formed during doping. It has been considered that the low Mg diffusion coefficient in GaN crystals prevents Mg thermal diffusion doping from achieving a suitable diffusion length for device design. However, by using a unique Mg diffusion source, we have succeeded in enhancing the thermal diffusion of Mg, obtaining a diffusion length of several hundred nm, and fabricating and evaluating GaN that exhibits good p-type conductivity by heat treatment under atmospheric pressure. In this presentation, we report on the Mg thermal diffusion doping process and the evaluation of p-type conductivity. | |
| キーワード | （和） | GaN / 局所ドーピング / Mgイオン注入 / Mg 熱拡散, / p-GaN / / / |
| （英） | GaN / selective doping / Mg ion implantation / Mg diffsuion / p-GaN / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 288, ED2023-19, pp. 25-30, 2023年11月. | |
| 資料番号 | ED2023-19 | |
| 発行日 | 2023-11-23 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2023-19 CPM2023-61 LQE2023-59 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2023-11-30 - 2023-12-01 |
| 開催地（和） | アクトシティ浜松 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2023-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Mgの熱拡散によるp型GaNの実現とデバイス応用への課題 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of p-type GaN by Mg thermal diffusion and challenges for device applications |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 局所ドーピング / selective doping |
| キーワード(3)（和/英） | Mgイオン注入 / Mg ion implantation |
| キーワード(4)（和/英） | Mg 熱拡散, / Mg diffsuion |
| キーワード(5)（和/英） | p-GaN / p-GaN |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 佑太 / Yuta Itoh / イトウ ユウタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邉 浩崇 / Hirotaka Watanabe / |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 出来 真斗 / Manato Deki / デキ マナト |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新田 州吾 / Shugo Nitta / ニッタ シュウゴ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 敦之 / Atsushi Tanaka / タナカ アツシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本田 善夫 / Yoshio Honda / ホンダ ヨシオ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 天野 浩 / Hiroshi Amano / アマノ ヒロシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-11-30 15:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2023-19, CPM2023-61, LQE2023-59 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) |
| ページ範囲 | pp.25-30 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2023-11-23 (ED, CPM, LQE) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]