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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-12-01 10:20 一軸性応力印加によるInGaN量子井戸の偏光制御と変形ポテンシャルの決定 ○森 恵人・山口敦史（金沢工大）・牧野智大・大原真穂・濱口達史・幸田倫太郎（ソニーセミコンダクタソリューションズ）  ED2023-26 CPM2023-68 LQE2023-66 |
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| 抄録 | （和） | InGaN量子井戸(QW)を用いた垂直共振器型面発光レーザ(VCSEL)は，通常，c面GaN基板上に作製されるが，c面は対称性が高いため，レーザの偏光が不安定になるという問題がある．この問題を解決するための候補として，c面InGaN-QWの6回対称性を破って光学異方性を導入することが考えられる．本研究では，InGaN-QWを曲げることでc面内に異方性歪みを導入し，レーザ光の偏光を安定化させることを提案し，c面InGaN-QW-VCSELにおける偏光制御の実証的な光学測定を行った．そして，実験結果から，InGaNの変形ポテンシャルD5を決定した． |
| （英） | InGaN-quantum-well (QW) based vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs), which are usually fabricated on the c-plane GaN substrates, have a problem of unstable lasing polarization due to high symmetry of the c-plane crystal structure. A candidate for solving the problem is to introduce optical anisotropy by breaking the six-fold symmetry of c-plane InGaN-QWs. In this study, we propose that the anisotropic strain introduced by bending the film can induce optical anisotropy and that lasing polarization can be stabilized by this effect. Demonstrative measurements of the polarization control in c-plane InGaN-QW-based-VCSELs have been performed. Furthermore, we have determined the deformation potential D5 for InGaN alloy materials from the analysis of the experimental results. | |
| キーワード | （和） | InGaN量子井戸 / VCSEL / 偏光 / 変形ポテンシャル / / / / |
| （英） | InGaN quantum well / VCSEL / polarization / deformation potential / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 290, LQE2023-66, pp. 56-59, 2023年11月. | |
| 資料番号 | LQE2023-66 | |
| 発行日 | 2023-11-23 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2023-26 CPM2023-68 LQE2023-66 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2023-11-30 - 2023-12-01 |
| 開催地（和） | アクトシティ浜松 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2023-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 一軸性応力印加によるInGaN量子井戸の偏光制御と変形ポテンシャルの決定 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Polarization control of surface emission from c-plane InGaN quantum wells and determination of deformation potential in InGaN alloy materials |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN量子井戸 / InGaN quantum well |
| キーワード(2)（和/英） | VCSEL / VCSEL |
| キーワード(3)（和/英） | 偏光 / polarization |
| キーワード(4)（和/英） | 変形ポテンシャル / deformation potential |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 恵人 / Keito Mori-Tamamura / モリ ケイト |
| 第1著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa Inst. Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 敦史 / Atsushi A. Yamaguchi / ヤマグチ アツシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa Inst. Tech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牧野 智大 / Tomohiro Makino / マキノ トモヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 (略称： ソニーセミコンダクタソリューションズ) Sony Semiconductor Solutions Corporation (略称： Sony Semiconductor Solutions) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大原 真穂 / Maho Ohara / オオハラ マホ |
| 第4著者 所属（和/英） | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 (略称： ソニーセミコンダクタソリューションズ) Sony Semiconductor Solutions Corporation (略称： Sony Semiconductor Solutions) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 濱口 達史 / Tatsushi Hamaguchi / ハマグチ タツシ |
| 第5著者 所属（和/英） | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 (略称： ソニーセミコンダクタソリューションズ) Sony Semiconductor Solutions Corporation (略称： Sony Semiconductor Solutions) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 幸田 倫太郎 / Rintaro Koda / コウダ リンタロウ |
| 第6著者 所属（和/英） | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 (略称： ソニーセミコンダクタソリューションズ) Sony Semiconductor Solutions Corporation (略称： Sony Semiconductor Solutions) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-12-01 10:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2023-26, CPM2023-68, LQE2023-66 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) |
| ページ範囲 | pp.56-59 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-11-23 (ED, CPM, LQE) |
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