| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2023-12-01 16:15
ウェットエッチングしたAlNナノピラー上のUV-Bレーザーダイオードの光学特性評価 ○井本圭紀・近藤涼輔・山田凌矢・服部光希・西林到真・松原衣里・岩山 章・上山 智・竹内哲也・岩谷素顕(名城大)・三宅秀人(三重大) ED2023-36 CPM2023-78 LQE2023-76 |
| 抄録 |
(和) |
我々のグループでは、周期的な構造を持ったAlNナノピラー上に結晶を成長させることにより、格子緩和した高品質AlGaNが作製可能であること、さらに、そのAlGaN上にレーザー構造を積層することでしきい値電流密度が低減することを報告してきた。本研究では、AlNナノピラーをTMAH水溶液でウェットエッチングすることにより光励起レーザーのしきい値パワー密度が低下することを見出した。さらに、そのAlGaNの転位密度や内部量子効率などを詳細に比較した結果について報告する。 |
| (英) |
Our groups reported that we could fabricate high quality lattice relaxed AlGaN grown on periodic AlN nanopillars.and threshold current density of laser grown on its AlGaN template decreased. In this report, We realized reduction of threshold power density by using wet etching. In addition, we will report dislocation density and internal quantum efficiency in AlGaN |
| キーワード |
(和) |
AlNナノピラー / AlGaN / 光励起レーザー / / / / / |
| (英) |
AlN nanopillar / AlGaN / optical pumping laser / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 123, no. 290, LQE2023-76, pp. 98-101, 2023年11月. |
| 資料番号 |
LQE2023-76 |
| 発行日 |
2023-11-23 (ED, CPM, LQE) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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