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講演抄録/キーワード
講演名 2023-12-01 16:40
230nm帯far-UVCLEDの短波長化の検討と高出力LEDパネルの実現
牟田実広大神裕之毛利健吾河島宏和日本タングステン)・前田哲利アジマル カーン鹿嶋行雄松浦恵里子中村勇稀住司 光桐原大河理研)・藤川紗千恵矢口裕之埼玉大)・祝迫 恭日本タングステン)・平山秀樹理研ED2023-37 CPM2023-79 LQE2023-77
抄録 (和) 本研究では、人体無害波長230nm帯遠紫外線LEDの短波長化と高出力化の開発を行った。AlGaNバッファー層の高Al組成化、発光層の構造最適化、分極ドープ効果p型透明コンタクト層の導入などを用い、221~236nm LEDの高効率化を行った。230nm帯LEDに於いて3mW程度の出力を実現した。また、それらを並列に実装することで、CW動作で88mW、パルス出力で220mWの出力を発するLEDパネルを作製した。 
(英) AlGaN-based 230nm-band far-UVC LEDs that is harmless to the human body were developed toward achievements of shorter wavelength and higher efficiency operations. The efficiency of 221-236nm LEDs was improved by increasing the Al composition of the AlGaN buffer layer, optimizing the structure of the quantum-well emission layer, and introducing a polarization doping effect p-type transparent contact layer. We demonstrated the output power of approximately 3 mW in 230 nm LED. In addition, by mounting them in parallel, we created an LED panel that emits an output of 88 mW in CW operation and 220 mW in pulse operation.
キーワード (和) far-UVC LED / AlGaN / LEDパネル / ウイルス不活化 / / / /  
(英) far-UVC LED / AlGaN / LED panel / virus inactivation / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 123, no. 290, LQE2023-77, pp. 102-105, 2023年11月.
資料番号 LQE2023-77 
発行日 2023-11-23 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2023-37 CPM2023-79 LQE2023-77

研究会情報
研究会 LQE ED CPM  
開催期間 2023-11-30 - 2023-12-01 
開催地(和) アクトシティ浜松 
開催地(英)  
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2023-11-LQE-ED-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 230nm帯far-UVCLEDの短波長化の検討と高出力LEDパネルの実現 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Development of Shorter Wavelength 230 nm-Band Far-UVC LEDs and Realization of High Output Power LED Panels 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) far-UVC LED / far-UVC LED  
キーワード(2)(和/英) AlGaN / AlGaN  
キーワード(3)(和/英) LEDパネル / LED panel  
キーワード(4)(和/英) ウイルス不活化 / virus inactivation  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 牟田 実広 / Mitsuhiro Muta / ムタ ミツヒロ
第1著者 所属(和/英) 日本タングステン (略称: 日本タングステン)
Nippon Tungsten (略称: Nippon Tungsten)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 大神 裕之 / Hiroyuki Oogami / オオガミ ヒロユキ
第2著者 所属(和/英) 日本タングステン (略称: 日本タングステン)
Nippon Tungsten (略称: Nippon Tungsten)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 毛利 健吾 / Kengo Mouri / モウリ ケンゴ
第3著者 所属(和/英) 日本タングステン (略称: 日本タングステン)
Nippon Tungsten (略称: Nippon Tungsten)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 河島 宏和 / Hirokazu Kawashima / カワシマ ヒロカズ
第4著者 所属(和/英) 日本タングステン (略称: 日本タングステン)
Nippon Tungsten (略称: Nippon Tungsten)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 前田 哲利 / Noritoshi Maeda / マエダ ノリトシ
第5著者 所属(和/英) 理化学研究所 (略称: 理研)
RIKEN (略称: RIKEN)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) アジマル カーン / Ajmal Khan / アジマル カーン
第6著者 所属(和/英) 理化学研究所 (略称: 理研)
RIKEN (略称: RIKEN)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 鹿嶋 行雄 / Yukio Kashima / カシマ ユキオ
第7著者 所属(和/英) 理化学研究所 (略称: 理研)
RIKEN (略称: RIKEN)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 松浦 恵里子 / Eriko Katsuura / マツウラ エリコ
第8著者 所属(和/英) 理化学研究所 (略称: 理研)
RIKEN (略称: RIKEN)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 勇稀 / Yuuki Nakamura / ナカムラ ユウキ
第9著者 所属(和/英) 理化学研究所 (略称: 理研)
RIKEN (略称: RIKEN)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 住司 光 / Kou Sumishi /
第10著者 所属(和/英) 理化学研究所 (略称: 理研)
RIKEN (略称: RIKEN)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 桐原 大河 / Taiga Kirihara / キリハラ タイガ
第11著者 所属(和/英) 理化学研究所 (略称: 理研)
RIKEN (略称: RIKEN)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤川 紗千恵 / Sachie Fujikawa / フジカワ サチエ
第12著者 所属(和/英) 埼玉大学 (略称: 埼玉大)
Saitama University (略称: Saitama Univ)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 矢口 裕之 / Hiroyuki Yaguchi / ヤグチ ヒロユキ
第13著者 所属(和/英) 埼玉大学 (略称: 埼玉大)
Saitama University (略称: Saitama Univ)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) 祝迫 恭 / Yasushi Iwaisako / イワイサコ ヤスシ
第14著者 所属(和/英) 日本タングステン (略称: 日本タングステン)
Nippon Tungsten (略称: Nippon Tungsten)
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) 平山 秀樹 / Hideki Hirayama / ヒラヤマ ヒデキ
第15著者 所属(和/英) 理化学研究所 (略称: 理研)
RIKEN (略称: RIKEN)
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講演者 第1著者 
発表日時 2023-12-01 16:40:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 ED2023-37, CPM2023-79, LQE2023-77 
巻番号(vol) vol.123 
号番号(no) no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) 
ページ範囲 pp.102-105 
ページ数
発行日 2023-11-23 (ED, CPM, LQE) 


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