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| 講演名 | 2023-12-01 14:00 その場反射率スペクトル測定を用いたAlInN/GaN DBRの高精度膜厚制御 ○小林憲汰・渡邊琉加・西川大智・竹内哲也・岩谷素顕・上山 智（名城大）  ED2023-31 CPM2023-73 LQE2023-71 |
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| 抄録 | （和） | 実用化された赤外領域のGaAs系面発光レーザー（VCSEL）には、その場反射率スペクトル測定による膜厚制御が活用されており、開発段階であるGaN系VCSELにも、その応用が期待される。本研究グループより、上記測定を用いたGaN系VCSELの共振器長制御が報告されたが、共振器下部の40ペアAlInN/GaN多層膜反射鏡（DBR）の中心波長制御は未実施であったため、その制御の確立を目的とした検討を行った。はじめに、制御の方針決定に向けた反射率シミュレーションを行い、VCSELのミラー損失に与える影響を調査した。run-to-runの成長速度の変化に起因する±2%の中心波長の差異は、成長開始5ペア目時点に調整することで、ミラー損失の増加量を5%以内に抑制可能であることを見積もった。続いて、その制御性を実証するため、±2%の中心波長の差異を考慮した膜厚調整を5ペア目で施した結果、40ペア成長後の差異を±0.3%以内に制御可能であることを見出した。 |
| （英） | In-situ layer thickness controls with in-situ reflectivity spectra measurements have been actively used in commercialized GaAs-based VCSELs, but not in GaN-based VCSELs so far. Recently, we have developed in-situ cavity length controls of GaN-based VCSELs with the above-mentioned measurements. On the other hand, in-situ center wavelength controls of bottom 40-pair AlInN/GaN DBRs have not yet been performed. In this study, we investigated the in-situ center wavelength controls of the 40-pair AlInN/GaN DBRs with the in-situ reflectivity spectra measurements. We first estimated that ±2% center wavelength deviations due to the run-to-run growth rate variations could be adjusted after the 5-pair DBR growth within the 5% increase of VCSEL mirror loss according to our reflectivity simulation. In order to demonstrate the controllability, ±2% thickness adjustments toward the target center wavelength were performed after the 5-pair DBR growths, resulting in the accuracy within the ±0.3% error after the 40-pair DBR growths. | |
| キーワード | （和） | 面発光レーザー / 多層膜反射鏡 / その場反射率スペクトル測定 / / / / / |
| （英） | VCSEL / DBR / in-situ reflectivity spectra measurement / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 290, LQE2023-71, pp. 76-79, 2023年11月. | |
| 資料番号 | LQE2023-71 | |
| 発行日 | 2023-11-23 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2023-31 CPM2023-73 LQE2023-71 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2023-11-30 - 2023-12-01 |
| 開催地（和） | アクトシティ浜松 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2023-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | その場反射率スペクトル測定を用いたAlInN/GaN DBRの高精度膜厚制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High thickness controllability of AlInN/GaN DBRs with in-situ reflectivity spectra measurements |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 面発光レーザー / VCSEL |
| キーワード(2)（和/英） | 多層膜反射鏡 / DBR |
| キーワード(3)（和/英） | その場反射率スペクトル測定 / in-situ reflectivity spectra measurement |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 憲汰 / Kenta Kobayashi / コバヤシ ケンタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邊 琉加 / Ruka Watanabe / ワタナベ ルカ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西川 大智 / Taichi Nishikawa / ニシカワ タイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi / タケウチ テツヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya / イワヤ モトアキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上山 智 / Satoshi Kamiyama / カミヤマ サトシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-12-01 14:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2023-31, CPM2023-73, LQE2023-71 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) |
| ページ範囲 | pp.76-79 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-11-23 (ED, CPM, LQE) |
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