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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2024-01-16 14:50 自己組織化単分子膜を利用した金属酸化物抵抗変化型メモリの抵抗変化挙動の制御 ○中野正浩・松井裕輝・Md. Shahiduzzaman・當摩哲也・辛川 誠（金沢大）  OME2023-80 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | We explored how self-assembled monolayers (SAMs) affect the resistive changing behavior in metal oxides-based resistive changing memories. The resistive switching voltages of SAM-modified zinc oxide (ZnO)-based memory devices (ITO/ZnO-SAM/Al) were shifted from that of bare ZnO depending on the surface dipole induced by SAMs. The ZnO-based devices with methylaminopropyl-substituted SAMs exhibited a lower switching voltage (1.6 V) compared to unmodified ZnO-based ones (2.9 V). Moreover, the on/off ratio was also improved by SAM modification (from 102 to 104). We also found that SAM-modification can influence resistive changing voltages in cycling set and reset behavior of resistive changing memories, as evidenced by our experiments with zirconium dioxide (ZrO2)-based memory devices with SAMs. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | Metal oxide / Self-assembled monolayer / interface / resistive switching memory / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 333, OME2023-80, pp. 13-17, 2024年1月. | |
| 資料番号 | OME2023-80 | |
| 発行日 | 2024-01-09 (OME) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OME2023-80 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
| 開催期間 | 2024-01-16 - 2024-01-16 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 有機薄膜、有機・バイオデバイス、一般 |
| テーマ（英） | Organic thin films, Organic devices, Bio-devices, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OME |
| 会議コード | 2024-01-OME |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | 自己組織化単分子膜を利用した金属酸化物抵抗変化型メモリの抵抗変化挙動の制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Control of the Resistive Switching Behavior of Metal Oxide-based Resistive Memories by Using Self-Assembled Monolayers |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Metal oxide |
| キーワード(2)（和/英） | / Self-assembled monolayer |
| キーワード(3)（和/英） | / interface |
| キーワード(4)（和/英） | / resistive switching memory |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中野 正浩 / Masahiro Nakano / ナカノ マサヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 金沢大学 (略称： 金沢大) Kanazawa University (略称： Kanazawa Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松井 裕輝 / Hiroki Matsui / マツイ ヒロキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 金沢大学 (略称： 金沢大) Kanazawa University (略称： anazawa Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Md. Shahiduzzaman / Md. Shahiduzzaman / モハメド シャヒドゥザマン |
| 第3著者 所属（和/英） | 金沢大学 (略称： 金沢大) Kanazawa University (略称： anazawa Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 當摩 哲也 / Tetsuya Taima / タイマ テツヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 金沢大学 (略称： 金沢大) Kanazawa University (略称： anazawa Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 辛川 誠 / Makoto Karakawa / カラカワ マコト |
| 第5著者 所属（和/英） | 金沢大学 (略称： 金沢大) Kanazawa University (略称： anazawa Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2024-01-16 14:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OME |
| 資料番号 | OME2023-80 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.333 |
| ページ範囲 | pp.13-17 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2024-01-09 (OME) |
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