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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2024-01-25 14:00 GaAs半導体プロセスにおけるウエハ反りの低減 ○西澤弘一郎（三菱電機）・松本 歩・福室直樹（兵庫県立大）・中川康幸・日坂隆行・佐久間 仁・小島善樹（三菱電機）・八重真治（兵庫県立大）  ED2023-65 MW2023-157 |
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| 抄録 | （和） | GaAs半導体裏面電極に用いられるNi-Pめっき膜はストレスが高く、ウエハ反りの要因となっている。200℃以上の熱処理で、NiがGaAs基板に拡散し、厚い拡散層が形成され、高いストレスを有することが分かっている。本発表では、Niの拡散を防止するため、Ni層内にPdバリア層を形成して反りの低減を図った内容を報告する。 |
| （英） | The Ni-P plating film used for the back electrode of GaAs semiconductors has high stress, which is a factor in wafer warping. It is known that heat treatment at 200°C or higher causes Ni to diffuse into the GaAs substrate, forming a thick diffusion layer and causing high stress. In this presentation, we will report on our efforts to reduce warpage by forming a Pd barrier layer within the Ni layer to prevent Ni diffusion. | |
| キーワード | （和） | ニッケル-リン / 無電解めっき / ストレス / 熱処理 / / / / |
| （英） | nickel-phosphorus / electroless plating / stress / annealing / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 365, ED2023-65, pp. 1-3, 2024年1月. | |
| 資料番号 | ED2023-65 | |
| 発行日 | 2024-01-18 (ED, MW) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2023-65 MW2023-157 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2024-01-25 - 2024-01-26 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2024-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaAs半導体プロセスにおけるウエハ反りの低減 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reduction of Wafer Warpage in GaAs Semiconductor Process |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ニッケル-リン / nickel-phosphorus |
| キーワード(2)（和/英） | 無電解めっき / electroless plating |
| キーワード(3)（和/英） | ストレス / stress |
| キーワード(4)（和/英） | 熱処理 / annealing |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西澤 弘一郎 / Koichiro Nishizawa / ニシザワ コウイチロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松本 歩 / Ayumu Matsumoto / マツモト アユム |
| 第2著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： University of Hyogo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福室 直樹 / Naoki Fukumuro / フクムロ ナオキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： University of Hyogo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中川 康幸 / Yasuyuki Nakagawa / ナカガワ ヤスユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三菱電機 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 日坂 隆行 / Takayuki Hisaka / ヒサカ タカユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 三菱電機 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐久間 仁 / Hitoshi Sakuma / サクマ ヒトシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 三菱電機 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小島 善樹 / Yoshiki Kojima / コジマ ヨシキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 三菱電機 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 八重 真治 / Shinji Yae / ヤエ シンジ |
| 第8著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： University of Hyogo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2024-01-25 14:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2023-65, MW2023-157 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.365(ED), no.366(MW) |
| ページ範囲 | pp.1-3 |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2024-01-18 (ED, MW) |
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