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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 葛西 誠也 (北大)
副委員長 新井 学 (名大)
幹事 大石 敏之 (佐賀大), 山本 佳嗣 (三菱電機)
幹事補佐 小山 政俊 (阪工大), 吉田 智洋 (住友電工デバイス・イノベーション)

マイクロ波研究会(MW) [schedule] [select]
専門委員長 大久保 賢祐 (岡山県立大)
副委員長 真田 篤志 (阪大), 平井 暁人 (三菱電機)
幹事 石川 亮 (電通大), 今井 翔平 (村田製作所)
幹事補佐 古市 朋之 (東北大), 片山 光亮 (徳山高専)

日時 2024年 1月25日(木) 14:00 - 16:45
2024年 1月26日(金) 09:45 - 16:10
議題 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス/マイクロ波一般 
会場名 機会振興会館 B3-1会議室(1/25)、B3-研修2(1/26) 
住所 〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
交通案内 東京メトロ日比谷線神谷町駅から徒歩8分
http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html
会場世話人
連絡先
三菱電機 山本 佳嗣
0727847426
他の共催 ◆IEEE MTT-S Japan Chapter;IEEE MTT-S Kansai Chapter;IEEE MTT-S Nagoya Chapter協賛
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(ED研究会, MW研究会)についてはこちらをご覧ください

1月25日(木) 午後  ED研(1)
座長: 山本 佳嗣(三菱電機)
13:55 - 15:15
  13:55-14:00 開会挨拶 ( 5分 )
(1) 14:00-14:25 GaAs半導体プロセスにおけるウエハ反りの低減 ED2023-65 MW2023-157 西澤弘一郎三菱電機)・松本 歩福室直樹兵庫県立大)・中川康幸日坂隆行佐久間 仁小島善樹三菱電機)・八重真治兵庫県立大
(2) 14:25-14:50 MOCVD法におけるシミュレーションを活用したGaN成長条件の最適化 ED2023-66 MW2023-158 吉岡尚輝畠中 奨野々田亮平小島善樹三菱電機
(3) 14:50-15:15 低周波Yパラメータ(Y11、Y22)を利用したGaN HEMTのトラップ評価 ED2023-67 MW2023-159 大石敏之高田 栞佐賀大)・久樂 顕山口裕太郎新庄真太郎山中宏治三菱電機
  15:15-15:30 休憩 ( 15分 )
1月25日(木) 午後  ED研(2)
座長: 大石 敏之(佐賀大)
15:30 - 16:45
(4) 15:30-15:55 EID AlGaN/GaN MOS-HEMTにおけるAl2O3ゲート酸化膜直下の電子状態解析 ED2023-68 MW2023-160 南條拓真清井 明今澤貴史古橋壮之西川和康三菱電機)・江川孝志名工大
(5) 15:55-16:20 ダイヤモンド放熱基板を用いたGaN HEMTの開発 ED2023-69 MW2023-161 白柳裕介三菱電機/熊本大)・友久伸吾三菱電機)・笠村啓司豊田洋輝熊本大)・松前貴司倉島優一高木秀樹産総研)・久保田章亀熊本大)・長永隆志三菱電機
(6) 16:20-16:45 5G Massive MIMO基地局向け高出力GaN電力増幅器モジュール ED2023-70 MW2023-162 本田 慧松下晃生寺西絵理嘉藤勝也坂田修一山本和也國井徹郎三菱電機
1月26日(金) 午前  MW研 (1)
座長: 末松 憲治(東北大学)
09:45 - 11:00
(7) 09:45-10:10 送受信アンテナ間の減結合回路設計 ED2023-71 MW2023-163 TAN Zhi Earn高木雅也豊橋技科大)・佐伯洋昌村田製作所)・田村昌也豊橋技科大
(8) 10:10-10:35 ボックス形結合を用いた有極マイクロストリップダイプレクサの設計 ED2023-72 MW2023-164 西山勇大大平昌敬馬 哲旺埼玉大
(9) 10:35-11:00 B5G/6Gのためのバーニア抵抗網によるデジタル線形制御可能なベクトル合成型移相器 ED2023-73 MW2023-165 今西 蓮野坂秀之立命館大
  11:00-11:10 休憩 ( 10分 )
1月26日(金) 午後  MW研 (2)
座長: 加保 貴奈(湘南工科大学)
11:10 - 12:00
(10) 11:10-11:35 水素終端ダイヤモンドFETの高周波特性の温度特性評価とモデリング ED2023-74 MW2023-166 古市朋之唐澤風海人東北大)・川島宏幸若井知子大熊DD)・桝村匡史北大)・山口卓宏大熊DD)・金子純一北大)・梅沢 仁大熊DD)・末松憲治東北大
(11) 11:35-12:00 RFID部分義歯管理システムにおける体内通信時の検知可能範囲の評価 ED2023-75 MW2023-167 高寺裕二古市朋之東北大)・本良瑞樹静岡理工科大)・末松憲治東北大
  12:00-13:00 休憩 ( 60分 )
1月26日(金) 午後  MW研 (3)
座長: 川﨑 繁男 (S&MWT)
13:00 - 14:40
(12) 13:00-13:25 6ポートリフレクトメータ型VNAを構成する90度ハイブリッドとパワーディバイダの目標特性の検討 ED2023-76 MW2023-168 椿 葉牛山太陽小野 哲電通大
(13) 13:25-13:50 パッシブロードプル測定における校正と検証についての一考察 ED2023-77 MW2023-169 丹波憲之原 信二名大
(14) 13:50-14:15 QPSK変調信号を基準信号源に用いた透過係数の測定 ED2023-78 MW2023-170 吉田 信シーデックス)・矢加部利幸マルチポート研
(15) 14:15-14:40 大口径の終端開放同軸線路と容量法によるMHz帯での電解質溶液の誘電率測定 ED2023-79 MW2023-171 柴田幸司八戸工大
  14:40-14:50 休憩 ( 10分 )
1月26日(金) 午後  MW研 (4)
座長: 石川 亮(電気通信大学)
14:50 - 16:10
(16) 14:50-15:30 [招待講演]Beyond 5Gに向けたフェーズドアレーアンテナ装置の研究 ED2023-80 MW2023-172 加保貴奈宗 秀哉松永高治湘南工科大
(17) 15:30-16:10 [招待講演]InP化合物半導体を用いた光通信/無線通信用超高速アナログフロントエンドIC技術 ED2023-81 MW2023-173 徐 照男長谷宗彦濱田裕史脇田 斉アブド イブラヒム来山大祐パンダー アダム白鳥悠太武藤美和堤 卓也高橋宏行NTT
  16:10-16:15 閉会挨拶 ( 5分 )

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 30 分 + 質疑応答 10 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 大石 敏之 (佐賀大学)
TEL : 0952-28-8645
E--mail :oi104cc-u
山本 佳嗣(三菱電機)
TEL: 072-784-7426
E--mail: YaYoguMibiElectc 
MW マイクロ波研究会(MW)   [今後の予定はこちら]
問合先 石川亮(電通大)
E--mail: ric
もしくは
今井翔平(村田製作所)
E--mail: siiig 
お知らせ ◎【MW研からのお知らせ】
2020年度より、各年度のMW研の全発表の中から、優秀な研究発表を行った学生講演者を対象として「学生研究優秀発表賞」と「学生研究発表奨励賞」を選定します。


Last modified: 2024-01-19 13:58:27


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