ご案内 入会して研究会活動をもっとお得に!研究会参加費・年間登録費が会員価格になります。
お知らせ 【重要】研究会参加費の支払いおよび原稿アップロード手続きの変更に関するご案内
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2024-01-25 14:25
MOCVD法におけるシミュレーションを活用したGaN成長条件の最適化
吉岡尚輝畠中 奨野々田亮平小島善樹三菱電機ED2023-66 MW2023-158
抄録 (和) GaNの高電子移動度トランジスタ(High Electron Mobility Transistor : HEMT)は所望のデバイス特性を得るために、バッファ層のC濃度を制御する必要がある。しかしながら、C濃度の測定手段は二次イオン質量分析法(Secondary Ion Mass Spectrometry : SIMS)のみであるため、評価と成長条件の最適化には時間を要する。そこで、開発期間の短縮のために成長シミュレーション技術の活用を試みた。本報告では、成長シミュレーション技術の導入段階として、シミュレーションの計算結果と実験値の比較を行った結果について述べる。C濃度に対するトリメチルガリウム(TMGa)供給量依存性は、シミュレーション計算結果と実験値が概ね一致することを確認した。一方で、C濃度の基板表面温度および成長圧力依存性については、シミュレーション計算結果と実験値は一致せず、実際のリアクタ内の成長反応を再現できていないことを確認した。シミュレーション計算精度向上のためには、計算結果の詳細分析や成長モデルの修正が必要である。 
(英) (Not available yet)
キーワード (和) シミュレーション / 成長条件 / / / / / /  
(英) MOCVD / GaN / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 123, no. 365, ED2023-66, pp. 4-6, 2024年1月.
資料番号 ED2023-66 
発行日 2024-01-18 (ED, MW) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2023-66 MW2023-158

研究会情報
研究会 ED MW  
開催期間 2024-01-25 - 2024-01-26 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス/マイクロ波一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2024-01-ED-MW 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) MOCVD法におけるシミュレーションを活用したGaN成長条件の最適化 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Optimization of GaN MOCVD growth conditions using simulation 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) シミュレーション / MOCVD  
キーワード(2)(和/英) 成長条件 / GaN  
キーワード(3)(和/英) /  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉岡 尚輝 / Naoki Yoshioka / ヨシオカ ナオキ
第1著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Elec. Corp.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 畠中 奨 / Susumu Hatakenaka / ハタケナカ ススム
第2著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Elec. Corp.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 野々田 亮平 / Ryohei Nonoda / ノノダ リョウヘイ
第3著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Elec. Corp.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 小島 善樹 / Yoshiki Kojima / コジマ ヨシキ
第4著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Elec. Corp.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第21著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第21著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第22著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第22著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第23著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第23著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第24著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第24著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第25著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第25著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第26著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第26著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第27著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第27著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第28著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第28著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第29著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第29著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第30著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第30著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第31著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第31著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第32著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第32著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第33著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第33著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第34著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第34著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第35著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第35著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第36著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第36著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2024-01-25 14:25:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2023-66, MW2023-158 
巻番号(vol) vol.123 
号番号(no) no.365(ED), no.366(MW) 
ページ範囲 pp.4-6 
ページ数
発行日 2024-01-18 (ED, MW) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会