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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2024-01-25 15:30 EID AlGaN/GaN MOS-HEMTにおけるAl2O3ゲート酸化膜直下の電子状態解析 ○南條拓真・清井 明・今澤貴史・古橋壮之・西川和康（三菱電機）・江川孝志（名工大）  ED2023-68 MW2023-160 |
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| 抄録 | （和） | ノーマリオフ動作するプレーナ型のExtrinsically Electron Induced by Dielectric (EID) AlGaN/GaN MOS-HEMTは，ドライエッチング等の半導体層へのダメージが懸念されるプロセスを使用せずに作製できるため，高い信頼性と安定性を備えた電力変換用の高速高出力スイッチング素子として期待される．しかしながら，このEID-HEMTおいて報告されているしきい値電圧は0.5~0.9 Vであり，電力用変換素子として十分に高い値とは言えない．この原因を調査するために，本検討ではHard X-ray Photoelectron Spectroscopy（HAXPES）を用いてEID-HEMTにおけるAl2O3ゲート酸化膜直下の電子状態解析を実施した．その結果，誘電膜が堆積されていないAlGaN表面の状態と比較して，Al2O3ゲート酸化膜を堆積した場合のAlGaN表面では，Ga 2pとN 1sのスペクトルが共に高エネルギー側にシフトしていることが確認された．ただし，そのシフト量はEID膜として用いるSiO2膜の場合と比較すると小さい値であった．ゲート酸化膜に用いたAl2O3膜の場合にもEID膜として用いるSiO2膜と同様に完全空乏したヘテロ界面に2DEGを誘起する働きがあることがわかった． |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | AlGaN/GaN / HEMT / thin barrier / EID / MOS / 2DEG / threshold voltage / HAXPES |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 365, ED2023-68, pp. 11-14, 2024年1月. | |
| 資料番号 | ED2023-68 | |
| 発行日 | 2024-01-18 (ED, MW) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2023-68 MW2023-160 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2024-01-25 - 2024-01-26 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2024-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | EID AlGaN/GaN MOS-HEMTにおけるAl2O3ゲート酸化膜直下の電子状態解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electron State Analysis under Al2O3 Gate Oxide film in EID AlGaN/GaN MOS-HEMT |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN / |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / |
| キーワード(3)（和/英） | thin barrier / |
| キーワード(4)（和/英） | EID / |
| キーワード(5)（和/英） | MOS / |
| キーワード(6)（和/英） | 2DEG / |
| キーワード(7)（和/英） | threshold voltage / |
| キーワード(8)（和/英） | HAXPES / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 南條 拓真 / Takuma Nanjo / ナンジョウ タクマ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 清井 明 / Akira Kiyoi / キヨイ アキラ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 今澤 貴史 / Takashi Imazawa / イマザワ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古橋 壮之 / Masayuki Furuhashi / フルハシ マサユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西川 和康 / Kazuyasu Nishikawa / ニシカワ カズヤス |
| 第5著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2024-01-25 15:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2023-68, MW2023-160 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.365(ED), no.366(MW) |
| ページ範囲 | pp.11-14 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2024-01-18 (ED, MW) |
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