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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2024-02-21 14:10 ［招待講演］Cu/SiCNハイブリッド接合の接合前表面最適化技術 中山航平・端山健太・神谷佑哲・○井上史大（横浜国大）  SDM2023-85 |
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| 抄録 | （和） | 三次元集積や先端チップレット集積を実現する手法としてハイブリッド接合に期待が寄せられている．ハイブリッド接合は高い歩留まり実現のために，Cu表面の平坦性に加え，Cu酸化膜および接合表面に付着した残留物の効果的な除去が不可欠である．ハイブリッド接合の絶縁膜にはSiO2と比較して，高い接合強度，ボイド抑制，Cu拡散防止性に優れているSiCNが注目を集めている．しかし，Cu/SiCNハイブリッド接合表面のCMPに関する研究は十分には行われていない．そこで，本研究ではCMP工程からCMP後洗浄，プラズマ表面活性化を含むハイブリッド接合前までの接合表面をCu，Ta，SiCN，SiO2で評価した． |
| （英） | Hybrid bonding is considered the key enabler for advanced chiplet integration, which requires finer pitch vertical connection [1-3]. Cu pad topography, cleanliness, and Cu oxide control are the crucial parameters for the high yield in this integration scheme. SiCN is known as a promising dielectric layer for hybrid bonding because it outperforms bonding strength, void suppression, and diffusion barrier property than SiO2 [4,5]. However, the optimized CMP conditions for Cu/SiCN hybrid bonding have not been well studied. In this study, we investigated the Cu, Ta, SiO2 and SiCN surfaces in various evaluation methods. Furthermore, discuss the suitable CMP conditions, including post-CMP clean. | |
| キーワード | （和） | ハイブリッド接合 / 3次元集積 / チップレット / Cu SiCN CMP / / / / |
| （英） | Hybrid bonding / 3D integration / Chiplet / Cu SiCN CMP / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 385, SDM2023-85, pp. 20-26, 2024年2月. | |
| 資料番号 | SDM2023-85 | |
| 発行日 | 2024-02-14 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2023-85 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2024-02-21 - 2024-02-21 |
| 開催地（和） | 東京大学 本郷 工4号館 |
| 開催地（英） | Tokyo University-Hongo-Engineering Bldg.4 |
| テーマ（和） | 配線・実装時術と関連材料技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2024-02-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Cu/SiCNハイブリッド接合の接合前表面最適化技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Optimization of Pre-Bonding Surface for Cu/SiCN Hybrid Bonding |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ハイブリッド接合 / Hybrid bonding |
| キーワード(2)（和/英） | 3次元集積 / 3D integration |
| キーワード(3)（和/英） | チップレット / Chiplet |
| キーワード(4)（和/英） | Cu SiCN CMP / Cu SiCN CMP |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中山 航平 / Kohei Nakayama / |
| 第1著者 所属（和/英） | 横浜国立大学 (略称： 横浜国大) YOKOHAMA National University (略称： YNU) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 端山 健太 / Kenta Hayama / ハヤマ ケンタ |
| 第2著者 所属（和/英） | 横浜国立大学 (略称： 横浜国大) YOKOHAMA National University (略称： YNU) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 神谷 佑哲 / Yutesu Kamiya / カミヤ ユウテツ |
| 第3著者 所属（和/英） | 横浜国立大学 (略称： 横浜国大) YOKOHAMA National University (略称： YNU) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 史大 / Fmihiro Inoue / イノウエ フミヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 横浜国立大学 (略称： 横浜国大) YOKOHAMA National University (略称： YNU) |
| 講演者 | 第4著者 |
| 発表日時 | 2024-02-21 14:10:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2023-85 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.385 |
| ページ範囲 | pp.20-26 |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | 2024-02-14 (SDM) |
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