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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2024-02-29 13:25 低閾値GaAs GADを用いる920MHz帯高ダイナミックレンジ微弱電力レクテナ ○平瀬大暉・廣瀬裕也・平井 司（金沢工大）・加藤 岳・河野孝昌（日清紡マイクロデバイス）・坂井尚貴・伊東健治（金沢工大）  MW2023-179 |
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| 抄録 | （和） | 本報告では低閾値GaAs gated anode diode (GAD)を用いる920 MHz帯高ダイナミックレンジ微弱電力レクテナを示す．GaAs GADは製造プロセスにより閾値の制御が可能であり，Si 素子と同等の閾値を得ることができる．同時にSi SBDより高いブレークダウン電圧が得られる．そのような低閾値GaAs GADを用いる整流器MMICと，これによる920MHz帯レクテナの試作結果を示す．ブリッジ整流器では開放負荷0.3Vで規定する感度点-26dBm，最大入力電力の推定値11dBmである．2段倍電圧整流器では感度点-36dBm，最大入力電力の推定値12dBmである．これらから与えられるダイナミックレンジは，過去報告されたSi 素子による整流器より高い値である．また送信アンテナの近傍でのレクテナの動作を可能とする. |
| （英） | In In this paper, the 920 MHz band low power rectifiers with low threshold voltage GaAs gated anode diodes (GADs) are demonstrated for high dynamic range operation. The GaAs GAD has an advantage of controllability on threshold voltage. This enables low threshold voltage of GaAs GAD that is similar value as a Si SBD. In the developed 920 MHz band rectifiers that are the bridge type and the 2-stage double voltage type, measured rectification efficiencies are higher than that with commercial based Si SBD. Measured sensitivities at output voltage of 0.3 V with open load are -26 dBm and -36 dBm, respectively. Furthermore, estimated maximum input powers are 11 dBm and 12 dBm, respectively. This indicates operation availability at near-field region to the transmitter. This clarifies extreme higher dynamic range of the developed GaAs rectifiers, compared with Si rectifiers in past works. | |
| キーワード | （和） | microwave / GaAs / gated anode diode / rectifier / MMIC / / / |
| （英） | microwave / GaAs / gated anode diode / rectifier / MMIC / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 396, MW2023-179, pp. 25-30, 2024年2月. | |
| 資料番号 | MW2023-179 | |
| 発行日 | 2024-02-22 (MW) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2023-179 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2024-02-29 - 2024-03-01 |
| 開催地（和） | 岡山県立大学 |
| 開催地（英） | Okayama Prefectural University |
| テーマ（和） | マイクロ波⼀般 |
| テーマ（英） | Microwave, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2024-02-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低閾値GaAs GADを用いる920MHz帯高ダイナミックレンジ微弱電力レクテナ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Dynamic Range 920 MHz Band Low Power Rectenna with Low Threshold voltage GaAs GADs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | microwave / microwave |
| キーワード(2)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(3)（和/英） | gated anode diode / gated anode diode |
| キーワード(4)（和/英） | rectifier / rectifier |
| キーワード(5)（和/英） | MMIC / MMIC |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平瀬 大暉 / Taiki Hirase / ヒラセ タイキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa IT.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 廣瀬 裕也 / Yuya Hirose / ヒロセ ユウヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa IT.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平井 司 / Tsukasa Hirai / ヒライ ツカサ |
| 第3著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa IT.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 岳 / Gaku Kato / カトウ ガク |
| 第4著者 所属（和/英） | 日清紡マイクロデバイス株式会社 (略称： 日清紡マイクロデバイス) Nisshinbo Micro Devices Inc. (略称： Nisshinbo Micro Devices) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 河野 孝昌 / Takamasa Kono / コウノ タカマサ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日清紡マイクロデバイス株式会社 (略称： 日清紡マイクロデバイス) Nisshinbo Micro Devices Inc. (略称： Nisshinbo Micro Devices) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂井 尚貴 / Naoki Sakai / サカイ ナオキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa IT.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊東 健治 / Kenji Itoh / イトウ ケンジ |
| 第7著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa IT.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2024-02-29 13:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2023-179 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.396 |
| ページ範囲 | pp.25-30 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2024-02-22 (MW) |
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