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講演抄録/キーワード
講演名 2024-02-29 11:00
酸化亜鉛薄膜トランジスタを用いた水素分圧評価
大塚魁人三浦正範有馬ボシールアハンマド廣瀬文彦山形大CPM2023-100
抄録 (和) 水素は環境にやさしいクリーンなエネルギー源として期待されているが、可燃性及び爆発性があるので水素の漏洩を瞬時に検知可能な水素センサーの需要が高まっている。水素センサーの一種である半導体式センサーは低濃度の水素に対しても高感度であり、材料には酸化亜鉛(ZnO)のようなn型半導体が検知膜とされている。また室温原子層堆積法を用いて作製した酸化亜鉛薄膜トランジスタ(ZnO-TFT)が水素雰囲気下で出力電流が増加し導電性が変化したことが報告されている。そこで本研究では酸化亜鉛薄膜トランジスタのアルゴン希釈水素に対する時間応答及びアルゴン希釈水素に対する感度を明らかにし、水素センサーとして応用可能であるか検討する。 
(英) Hydrogen is expected to be an environmentally friendly clean energy source, but since it is fllammable and explosive, there is a growing demand for hydrogen sensors that can instantly detect hydrogen leakage. Semiconductor sensors, a type of hydrogen sensor, are highly sensitive to low concentrations of hydrogen, and n-type semiconductors such as zinc oxide (ZnO) are used as the sensing film. Zinc oxide thin film transistor (ZnO-TFT) fabricated by room-temperature atomic layer deposition have been reported to show an increase in output current and a change in conductivity under a hydrogen atomosphere. In this study, the time response and sensitivity of ZnO-TFT to argon-diluted hydrogen are investigated to determine whether they can be used as hydrogen sensors.
キーワード (和) 水素センサー / 室温原子層堆積法 / 酸化亜鉛 / 酸化亜鉛薄膜トランジスタ / / / /  
(英) Hydrogen sensor / Room-temperature atomic layer deposition / Zinc oxide / Zinc oxide thin film transistor / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 123, no. 395, CPM2023-100, pp. 15-18, 2024年2月.
資料番号 CPM2023-100 
発行日 2024-02-22 (CPM) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2023-100

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2024-02-29 - 2024-02-29 
開催地(和) 山形大学工学部 
開催地(英) Yamagata University 
テーマ(和) 若手ミーティング (電子・部品・材料・一般) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2024-02-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 酸化亜鉛薄膜トランジスタを用いた水素分圧評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Hydrogen partial pressure evaluation using zinc oxide thin film transistor 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 水素センサー / Hydrogen sensor  
キーワード(2)(和/英) 室温原子層堆積法 / Room-temperature atomic layer deposition  
キーワード(3)(和/英) 酸化亜鉛 / Zinc oxide  
キーワード(4)(和/英) 酸化亜鉛薄膜トランジスタ / Zinc oxide thin film transistor  
キーワード(5)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 大塚 魁人 / Kaito Otsuka / オオツカ カイト
第1著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 三浦 正範 / Masanori Miura / ミウラ マサノリ
第2著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 有馬 ボシールアハンマド / Bashir Ahmmad / アリマ ボシールアハンマド
第3著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 廣瀬 文彦 / Fumihiko Hirose / ヒロセ フミヒコ
第4著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University. (略称: Yamagata Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2024-02-29 11:00:00 
発表時間 15分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2023-100 
巻番号(vol) vol.123 
号番号(no) no.395 
ページ範囲 pp.15-18 
ページ数
発行日 2024-02-22 (CPM) 


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