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講演抄録/キーワード
講演名 2024-03-01 10:15
挿入損失を考慮した2電力レベル設計による28 GHz帯GaN HEMTアウトフェージング増幅器MMICの試作
小林大輝本城和彦石川 亮電通大MW2023-189
抄録 (和) 第5 世代移動通信(5G) の普及に伴ってミリ波帯のような高い周波数の活用と、高速伝送と高い周波数利用 効率のために直交周波数分割多重(OFDM) のようなより高度な変調方式が用いられるようになっている.より高い周 波数帯の利用は低挿入損失を実現するための回路設計を複雑にし、OFDM は変調信号のピーク対平均電力比(PAPR) の増大をもたらす.本研究では広ダイナミックレンジ信号を効率よく増幅する電力増幅器(PA) の1 つであるアウト フェージング増幅器をミリ波帯である28 GHz においてMMIC 上に設計した.スミスチャート上に作成した挿入損失 のマップを使用し、低出力電力レベルと高出力電力レベルの2 つの出力電力レベルに対して回路の最適化を図った. 製造されたGaN HEMT アウトフェージング増幅器MMIC は28.5 GHz において最大ドレイン効率45%、5 dB バック オフ時にドレイン効率22% を示した. 
(英) The development of the fifth generation mobile communications (5G) will use higher frequencies such as millimeter wave bands and more advanced modulation such as orthogonal frequency division multiplexing (OFDM) for faster transmission and higher spectrum efficiency. The use of higher frequency bands complicates circuit design to achieve low insertion loss. Also, OFDM increases the peak-to-average power ratio (PAPR) of the modulated signal. In this research, an outphasing amplifier, which is a power amplifier (PA) that efficiently amplifies wide dynamic range signals, was designed on a MMIC in the millimeter wave band, 28 GHz. Using the insertion loss map created on the Smith chart, the circuit was optimized for two output power levels: low output power level and high output power level. The fabricated GaN HEMT outphasing amplifier MMIC exhibited a maximum drain efficiency of 45% and a drain efficiency of 22% at 5 dB backoff at 28.5 GHz.
キーワード (和) ウトフェージング増幅器 / 広ダイナミックレンジ / GaN HEMT / MMIC / ミリ波 / / /  
(英) Outphasing amplifier / Wide dynamic range / GaN HEMT / MMIC / Millimeter wave / / /  
文献情報 信学技報, vol. 123, no. 396, MW2023-189, pp. 74-77, 2024年2月.
資料番号 MW2023-189 
発行日 2024-02-22 (MW) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード MW2023-189

研究会情報
研究会 MW  
開催期間 2024-02-29 - 2024-03-01 
開催地(和) 岡山県立大学 
開催地(英) Okayama Prefectural University 
テーマ(和) マイクロ波⼀般 
テーマ(英) Microwave, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MW 
会議コード 2024-02-MW 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 挿入損失を考慮した2電力レベル設計による28 GHz帯GaN HEMTアウトフェージング増幅器MMICの試作 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) 28-GHz-Band GaN HEMT Outphasing Amplifier MMIC Designed by Considering Insertion Loss at Dual-Power-Level Optimization 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ウトフェージング増幅器 / Outphasing amplifier  
キーワード(2)(和/英) 広ダイナミックレンジ / Wide dynamic range  
キーワード(3)(和/英) GaN HEMT / GaN HEMT  
キーワード(4)(和/英) MMIC / MMIC  
キーワード(5)(和/英) ミリ波 / Millimeter wave  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 大輝 / Taiki Kobayashi / コバヤシ タイキ
第1著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: UEC)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 本城 和彦 / Kazuhiko Honjo / ホンジョウ カズヒコ
第2著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: UEC)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 石川 亮 / Ryo Ishikawa / イシカワ リョウ
第3著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: UEC)
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講演者 第1著者 
発表日時 2024-03-01 10:15:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 MW 
資料番号 MW2023-189 
巻番号(vol) vol.123 
号番号(no) no.396 
ページ範囲 pp.74-77 
ページ数
発行日 2024-02-22 (MW) 


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