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講演抄録/キーワード
講演名
2024-04-11 13:50
[依頼講演]200MHz超のランダムアクセス読み出し、10.4MB/sの書き換えを実現した高性能MCU向け22nm 10.8Mb混載MRAMマクロ
○
伊豆名雅之
・
小川大也
・
松原 謙
・
帯刀恭彦
・
斉藤朋也
・
武田晃一
・
金田義宣
・
下井貴裕
・
三谷秀徳
・
伊藤 孝
・
河野隆司
(
ルネサス エレクトロニクス
)
ICD2024-6
抄録
(和)
22nm ロジック混載MRAMプロセスで試作した10.8Mb STT-MRAMメモリセルアレイを搭載したマイコンテストチップの高速読み出しと高速書き換えの技術について述べる。これらの適用によりランダムアクセス読み出し周波数200MHz超、書き換えスループット10.4MB/sを達成した。
(英)
(Not available yet)
キーワード
(和)
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(英)
STT-MRAM
/
fast random read operation
/
high write throughput
/
one-time-programmable
/
high-end MCU
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文献情報
信学技報, vol. 124, no. 3, ICD2024-6, pp. 18-19, 2024年4月.
資料番号
ICD2024-6
発行日
2024-04-04 (ICD)
ISSN
Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード
ICD2024-6
研究会情報
研究会
ICD
開催期間
2024-04-11 - 2024-04-12
開催地(和)
川崎市産業振興会館 9階第2研修室
開催地(英)
テーマ(和)
メモリ技術と集積回路技術一般
テーマ(英)
講演論文情報の詳細
申込み研究会
ICD
会議コード
2024-04-ICD
本文の言語
日本語
タイトル(和)
200MHz超のランダムアクセス読み出し、10.4MB/sの書き換えを実現した高性能MCU向け22nm 10.8Mb混載MRAMマクロ
サブタイトル(和)
タイトル(英)
A 22 nm 10.8 Mb Embedded STT MRAM Macro Achieving over 200 MHz Random Read Access and a 10.4 MB/s Write Throughput for High End MCUs
サブタイトル(英)
キーワード(1)(和/英)
/
STT-MRAM
キーワード(2)(和/英)
/
fast random read operation
キーワード(3)(和/英)
/
high write throughput
キーワード(4)(和/英)
/
one-time-programmable
キーワード(5)(和/英)
/
high-end MCU
キーワード(6)(和/英)
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キーワード(7)(和/英)
/
キーワード(8)(和/英)
/
第1著者 氏名(和/英/ヨミ)
伊豆名 雅之
/
Masayuki Izuna
/
イズナ マサユキ
第1著者 所属(和/英)
ルネサスエレクトロニクス株式会社
(略称:
ルネサス エレクトロニクス
)
Renesas Electronics Corporation
(略称:
Renesas Electronics
)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ)
小川 大也
/
Tomoya Ogawa
/
オガワ トモヤ
第2著者 所属(和/英)
ルネサスエレクトロニクス株式会社
(略称:
ルネサス エレクトロニクス
)
Renesas Electronics Corporation
(略称:
Renesas Electronics
)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ)
松原 謙
/
Ken Matsubara
/
マツバラ ケン
第3著者 所属(和/英)
ルネサスエレクトロニクス株式会社
(略称:
ルネサス エレクトロニクス
)
Renesas Electronics Corporation
(略称:
Renesas Electronics
)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ)
帯刀 恭彦
/
Yasuhiko Taito
/
タイトウ ヤスヒコ
第4著者 所属(和/英)
ルネサスエレクトロニクス株式会社
(略称:
ルネサス エレクトロニクス
)
Renesas Electronics Corporation
(略称:
Renesas Electronics
)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ)
斉藤 朋也
/
Tomoya Saito
/
サイトウ トモヤ
第5著者 所属(和/英)
ルネサスエレクトロニクス株式会社
(略称:
ルネサス エレクトロニクス
)
Renesas Electronics Corporation
(略称:
Renesas Electronics
)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ)
武田 晃一
/
Koichi Takeda
/
タケダ コウイチ
第6著者 所属(和/英)
ルネサスエレクトロニクス株式会社
(略称:
ルネサス エレクトロニクス
)
Renesas Electronics Corporation
(略称:
Renesas Electronics
)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ)
金田 義宣
/
Yoshinobu Kaneda
/
カネダ ヨシノブ
第7著者 所属(和/英)
ルネサスエレクトロニクス株式会社
(略称:
ルネサス エレクトロニクス
)
Renesas Electronics Corporation
(略称:
Renesas Electronics
)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ)
下井 貴裕
/
Takahiro Shimoi
/
シモイ タカヒロ
第8著者 所属(和/英)
ルネサスエレクトロニクス株式会社
(略称:
ルネサス エレクトロニクス
)
Renesas Electronics Corporation
(略称:
Renesas Electronics
)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ)
三谷 秀徳
/
Hidenori Mitani
/
ミタニ ヒデノリ
第9著者 所属(和/英)
ルネサスエレクトロニクス株式会社
(略称:
ルネサス エレクトロニクス
)
Renesas Electronics Corporation
(略称:
Renesas Electronics
)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ)
伊藤 孝
/
Takashi Ito
/
イトウ タカシ
第10著者 所属(和/英)
ルネサスエレクトロニクス株式会社
(略称:
ルネサス エレクトロニクス
)
Renesas Electronics Corporation
(略称:
Renesas Electronics
)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ)
河野 隆司
/
Takashi Kono
/
コウノ タカシ
第11著者 所属(和/英)
ルネサスエレクトロニクス株式会社
(略称:
ルネサス エレクトロニクス
)
Renesas Electronics Corporation
(略称:
Renesas Electronics
)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第12著者 所属(和/英)
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第13著者 所属(和/英)
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第14著者 所属(和/英)
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第15著者 所属(和/英)
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第16著者 所属(和/英)
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第17著者 所属(和/英)
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(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第18著者 所属(和/英)
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第19著者 所属(和/英)
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第20著者 所属(和/英)
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第21著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第21著者 所属(和/英)
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第22著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第22著者 所属(和/英)
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第23著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第23著者 所属(和/英)
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第24著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第24著者 所属(和/英)
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第25著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第25著者 所属(和/英)
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第26著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第26著者 所属(和/英)
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第27著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第27著者 所属(和/英)
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第28著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第28著者 所属(和/英)
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第29著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第29著者 所属(和/英)
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第30著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第30著者 所属(和/英)
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第31著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第31著者 所属(和/英)
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第32著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第32著者 所属(和/英)
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第33著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第33著者 所属(和/英)
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第34著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第34著者 所属(和/英)
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第35著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第35著者 所属(和/英)
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第36著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第36著者 所属(和/英)
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(略称: )
講演者
第1著者
発表日時
2024-04-11 13:50:00
発表時間
25分
申込先研究会
ICD
資料番号
ICD2024-6
巻番号(vol)
vol.124
号番号(no)
no.3
ページ範囲
pp.18-19
ページ数
2
発行日
2024-04-04 (ICD)
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