| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2024-04-11 13:00
高温動作向けナノブリッジベースの不揮発性メモリマクロ ○根橋竜介・岡本浩一郎・阪本利司・多田宗弘(NBS) ICD2024-4 |
| 抄録 |
(和) |
ナノブリッジメモリは抵抗変化型メモリの一種である。ナノブリッジを利用して、高温で安定して動作可能なメモリマクロを開発した。Process-Voltage-Temperature (PVT)ばらつきに対して書き込み電流を補償することにより、-40°Cから150°Cにおいて、安定した書き込み動作が可能であることを確認した。データ保持試験を行い、175°Cで10年以上のデータ保持特性の見通しを得た。 |
| (英) |
NanoBridge (NB) is a kind of resistive-change device. We have developed NB-based memory macro with stable operations at high temperature. We confirmed that the write-current compensation for Process-Voltage-Temperature (PVT) variations enables stable write operations from -40°C to 150°C. We performed data retention tests, and estimate more than 10 years retention at 175°C. |
| キーワード |
(和) |
メモリ / 不揮発性 / CBRAM / ReRAM / 伝導性架橋 / ナノブリッジ / 原子スイッチ / |
| (英) |
memory / nonvolatile / CBRAM / ReRAM / conducting bridge / nanobridge / atom switch / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 124, no. 3, ICD2024-4, pp. 12-16, 2024年4月. |
| 資料番号 |
ICD2024-4 |
| 発行日 |
2024-04-04 (ICD) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
ICD2024-4 |
| 研究会情報 |
| 研究会 |
ICD |
| 開催期間 |
2024-04-11 - 2024-04-12 |
| 開催地(和) |
川崎市産業振興会館 9階第2研修室 |
| 開催地(英) |
|
| テーマ(和) |
メモリ技術と集積回路技術一般 |
| テーマ(英) |
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| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
ICD |
| 会議コード |
2024-04-ICD |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル(和) |
高温動作向けナノブリッジベースの不揮発性メモリマクロ |
| サブタイトル(和) |
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| タイトル(英) |
NanoBridge Based Nonvolatile Memory Macro for High-temperature Operation |
| サブタイトル(英) |
|
| キーワード(1)(和/英) |
メモリ / memory |
| キーワード(2)(和/英) |
不揮発性 / nonvolatile |
| キーワード(3)(和/英) |
CBRAM / CBRAM |
| キーワード(4)(和/英) |
ReRAM / ReRAM |
| キーワード(5)(和/英) |
伝導性架橋 / conducting bridge |
| キーワード(6)(和/英) |
ナノブリッジ / nanobridge |
| キーワード(7)(和/英) |
原子スイッチ / atom switch |
| キーワード(8)(和/英) |
/ |
| 第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
根橋 竜介 / Ryusuke Nebashi / ネバシ リュウスケ |
| 第1著者 所属(和/英) |
ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社 (略称: NBS)
NanoBridge Semiconductor, Inc. (略称: NBS) |
| 第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
岡本 浩一郎 / Koichiro Okamoto / オカモト コウイチロウ |
| 第2著者 所属(和/英) |
ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社 (略称: NBS)
NanoBridge Semiconductor, Inc. (略称: NBS) |
| 第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
阪本 利司 / Toshitsugu Sakamoto / サカモト トシツグ |
| 第3著者 所属(和/英) |
ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社 (略称: NBS)
NanoBridge Semiconductor, Inc. (略称: NBS) |
| 第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
多田 宗弘 / Munehiro Tada / タダ ムネヒロ |
| 第4著者 所属(和/英) |
ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社 (略称: NBS)
NanoBridge Semiconductor, Inc. (略称: NBS) |
| 第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2024-04-11 13:00:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
ICD |
| 資料番号 |
ICD2024-4 |
| 巻番号(vol) |
vol.124 |
| 号番号(no) |
no.3 |
| ページ範囲 |
pp.12-16 |
| ページ数 |
5 |
| 発行日 |
2024-04-04 (ICD) |