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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2024-05-24 16:15 マイクロ波電力伝送用ワイドバンドギャップ半導体SBDの特性解析 ○大野泰夫・伊藤弘子・平岡知己（レーザーシステム）・東脇正高（阪公立大）  ED2024-10 CPM2024-10 SDM2024-17 |
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| 抄録 | （和） | マイクロ波電力伝送の受電回路で用いられるショットキーバリアダイオードの回路特性を解析した。高周波の整流回路では、直流的なドリフト層の抵抗やバリアでの損失に加えオフ時でも空乏層容量への変位電流による損失が存在する。オン時とオフ時の損失をモデル化し、材料物性値も考慮してドリフト層の最適設計を行った。同じ直流抵抗を持つダイオードでは、破壊電界強度が高い半導体ほどオフ時の空乏層容量が小さくでき、高周波での損失が小さくなる。そのため、GHz帯以上の高周波ではワイドギャップ半導体が高いRF/DC変換効率を示す。 |
| （英） | Circuit characteristics of Schottky barrier diodes used in microwave power receiving circuits were analyzed. In high-frequency rectifier circuits, there are losses due to displacement current to the depletion layer capacitance even when the diode is off, in addition to DC losses in the drift layer resistance and barrier. We modeled the losses during the on-state and off-state and optimized the drift layer design by considering the material properties. For diodes with the same DC resistance, the higher the breakdown field strength, the smaller the depletion layer capacitance, and the lower the loss at high frequencies. As a result, wide-gap semiconductors exhibit high RF/DC conversion efficiency at frequencies above the GHz band. | |
| キーワード | （和） | ワイドバンドギャップ半導体 / ショットキーバリアダイオード / 整流回路 / レクテナ / / / / |
| （英） | wide band-gap semiconductor / Schottky barrier diode / rectifier circuit / rectenna / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 124, no. 43, ED2024-10, pp. 33-36, 2024年5月. | |
| 資料番号 | ED2024-10 | |
| 発行日 | 2024-05-16 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2024-10 CPM2024-10 SDM2024-17 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM CPM |
| 開催期間 | 2024-05-24 - 2024-05-24 |
| 開催地（和） | 北海道大学クラーク会館（札幌キャンパス） |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2024-05-ED-SDM-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | マイクロ波電力伝送用ワイドバンドギャップ半導体SBDの特性解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Performance Analysis of Wide Band-gap Semiconductor SBD for Microwave Power Transmission |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ワイドバンドギャップ半導体 / wide band-gap semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | ショットキーバリアダイオード / Schottky barrier diode |
| キーワード(3)（和/英） | 整流回路 / rectifier circuit |
| キーワード(4)（和/英） | レクテナ / rectenna |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大野 泰夫 / Yasuo Ohno / オオノ ヤスオ |
| 第1著者 所属（和/英） | (株)レーザーシステム (略称： レーザーシステム) Laser Systems Inc. (略称： Laser Systems) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 弘子 / Hiroko Itoh / イトウ ヒロコ |
| 第2著者 所属（和/英） | (株)レーザーシステム (略称： レーザーシステム) Laser Systems Inc. (略称： Laser Systems) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平岡 知己 / Tomomi Hiraoka / ヒラオカ トモミ |
| 第3著者 所属（和/英） | (株)レーザーシステム (略称： レーザーシステム) Laser Systems Inc. (略称： Laser Systems) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 東脇 正高 / Masataka Higashiwaki / ヒガシワキ マサタカ |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪公立大学 (略称： 阪公立大) Osaka Metropolitan University (略称： Osaka Metropolitan Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2024-05-24 16:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2024-10, CPM2024-10, SDM2024-17 |
| 巻番号（vol） | vol.124 |
| 号番号（no） | no.43(ED), no.44(CPM), no.45(SDM) |
| ページ範囲 | pp.33-36 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2024-05-16 (ED, CPM, SDM) |
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