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講演抄録/キーワード
講演名 2024-05-24 15:50
パワーサイクルセンサの感度向上に向けた新規構造の検討
大亀幸樹山北祐輝西澤伸一齋藤 渉九大ED2024-9 CPM2024-9 SDM2024-16
抄録 (和) 機械的ストレスのダメージ蓄積による電流変化をパワーサイクル劣化の検出に利用したセンサデバイスにおいて、電流変化を増加させる新規構造を試作実証した結果について報告する。 このセンサデバイスはショットキーバリアMISFETで構成され、機械的ストレスにより、MISゲート界面準位が増加することで、ドレイン電流が減少し、パワーサイクル劣化を検出する。 これまでは、センサデバイスの試作により原理に基づいた動作実証が為されたが、電流変化は約4~5倍と予想よりも小さかった。 本研究では、電流変化がリーク電流によって制限されていることが原因であることを明らかにし、リーク電流を抑制する新規構造を提案する。 試作した新規構造により、リーク電流を従来構造と比較して1/8程度に低減し、12~13倍の電流変化が得られた。 
(英) This paper reports a demonstration of a new sensor device structure designed to increase the current change for detecting power cycle degradation. The sensor device consists of a Schottky barrier MISFET. Power cycling degradation is detected by a decrease in the drain current of the SB-MISFET, as repetitive mechanical stress increases the interface state density of the MIS gate. The sensor devices demonstrated the basic operation of a decrease in drain current due to repetitive mechanical stress. However, the change in current was only 4 to 5 times smaller than initial current. In this study, it is clarified that this current change is limited by leakage current, and a new structure is proposed to suppress this leakage current. The proposed structure achieved a current change 12 to 13 times smaller than the initial current, due to the leakage current 1/8 times smaller compared to the conventional structure.
キーワード (和) 信頼性 / パワーサイクル劣化 / 機械的ストレス / SB - MISFET / パワーサイクル試験 / / /  
(英) Reliability / power cycle degradation / Mechanical stress / SB - MISFET / power cycle test / / /  
文献情報 信学技報, vol. 124, no. 43, ED2024-9, pp. 29-32, 2024年5月.
資料番号 ED2024-9 
発行日 2024-05-16 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2024-9 CPM2024-9 SDM2024-16

研究会情報
研究会 ED SDM CPM  
開催期間 2024-05-24 - 2024-05-24 
開催地(和) 北海道大学クラーク会館(札幌キャンパス) 
開催地(英)  
テーマ(和) 機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2024-05-ED-SDM-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) パワーサイクルセンサの感度向上に向けた新規構造の検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Improvement of Sensitivity for Power Cycle Degradation by A New Device Structure 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 信頼性 / Reliability  
キーワード(2)(和/英) パワーサイクル劣化 / power cycle degradation  
キーワード(3)(和/英) 機械的ストレス / Mechanical stress  
キーワード(4)(和/英) SB - MISFET / SB - MISFET  
キーワード(5)(和/英) パワーサイクル試験 / power cycle test  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 大亀 幸樹 / Koki Okame / オオカメ コウキ
第1著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 山北 祐輝 / Yuki Yamakita / ヤマキタ ユウキ
第2著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 西澤 伸一 / Shin-ichi Nishizawa / ニシザワ シンイチ
第3著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 齋藤 渉 / Wataru Saito / サイトウ ワタル
第4著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ)
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講演者 第1著者 
発表日時 2024-05-24 15:50:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2024-9, CPM2024-9, SDM2024-16 
巻番号(vol) vol.124 
号番号(no) no.43(ED), no.44(CPM), no.45(SDM) 
ページ範囲 pp.29-32 
ページ数
発行日 2024-05-16 (ED, CPM, SDM) 


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