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講演抄録/キーワード
講演名 2024-06-06 15:00
ポーラスターゲットを用いたホットカソードRFスパッタリングによる熱アシスト磁気記録媒体用MgO下地層の高速成膜
山田航太宮崎大輝廣川祐生Seong-Jae Jeon清水章弘東北大)・岩谷幸作豊島製作所)・日向慎太郎小川智之斉藤 伸東北大MRIS2024-3
抄録 (和) 熱アシスト磁気記録媒体用MgO下地層の高速成膜のためのホットカソードRFスパッタリング用高熱応力耐性ターゲットを提案する.ターゲット内に空孔を多数有することによって熱応力を緩和する.ターゲットは,MgO粉体に造孔材を混合し,まず空気中で樹脂を焼き切って空孔を確保した後,${1600}^circ$C以上に昇温してMgOを焼結することにより作製した.造孔材添加量,空孔径,焼結温度を適切に選択することで,焼結後のターゲットに空孔を残すことができた.さらに空孔径150 $mu$mのポーラス構造MgOターゲットを用いたホットカソードRFスパッタリングの成膜速度は0.71 nm/sであり,CuバッキングプレートをInボンディングしたMgOターゲットを用いた通常のコールドカソードスパッタリングと比較して3.6倍の成膜速度であった. 
(英) A high thermal stress tolerant target for hot cathode RF sputtering is proposed for high rate deposition of MgO underlayer for heat assisted magnetic recording media. Porous structure is proposed that mitigates thermal stress at various locations in the target. Targets were prepared by mixing MgO powder with pore forming material, first baking off the resin in air to secure vacancies, and then sintering the MgO by raising the temperature to ${1600}^circ$C. By appropriately selecting material and its diameter of the pore forming material, and sintering temperature, it was possible to leave vacancies in the target after sintering. Furthermore, the deposition rate of the hot cathode sputtering with the porous MgO target that had a pore diameter of 150 $mu$m was 0.71 nm/s, which was 3.6 times faster than the normal cold cathode sputtering with the MgO target with Cu backing plate.
キーワード (和) RFスパッタリング / ホットカソード法 / MgO薄膜 / 高速成膜 / 造孔材 / ポーラス構造材料 / 熱応力 /  
(英) RF sputtering / hot cathode / MgO thin film / high rate deposition / pore forming material / porous structure target / high thermal stress tolerant /  
文献情報 信学技報, vol. 124, no. 67, MRIS2024-3, pp. 12-17, 2024年6月.
資料番号 MRIS2024-3 
発行日 2024-05-30 (MRIS) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード MRIS2024-3

研究会情報
研究会 MRIS ITE-MMS  
開催期間 2024-06-06 - 2024-06-07 
開催地(和) 東北大通研 
開催地(英) Tohoku Univ., RIEC 
テーマ(和) 記録システム・ヘッド・媒体+一般 
テーマ(英) recording system/head/media, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MRIS 
会議コード 2024-06-MRIS-MMS 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ポーラスターゲットを用いたホットカソードRFスパッタリングによる熱アシスト磁気記録媒体用MgO下地層の高速成膜 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) High rate RF sputtering of MgO underlayer by hot cathode method with porous target for heat assisted magnetic recording media 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) RFスパッタリング / RF sputtering  
キーワード(2)(和/英) ホットカソード法 / hot cathode  
キーワード(3)(和/英) MgO薄膜 / MgO thin film  
キーワード(4)(和/英) 高速成膜 / high rate deposition  
キーワード(5)(和/英) 造孔材 / pore forming material  
キーワード(6)(和/英) ポーラス構造材料 / porous structure target  
キーワード(7)(和/英) 熱応力 / high thermal stress tolerant  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 山田 航太 / Kota Yamada / ヤマダ コウタ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮崎 大輝 / Daiki Miyazaki / ミヤザキ ダイキ
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 廣川 祐生 / Yuki Hirokawa / ヒロカワ ユウキ
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) Seong-Jae Jeon / Seong-Jae Jeon /
第4著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 清水 章弘 / Akihiro Shimizu / シミズ アキヒロ
第5著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩谷 幸作 / Kosaku Iwatani / イワタニ コウサク
第6著者 所属(和/英) 豊島製作所 (略称: 豊島製作所)
TOSHIMA Manufacturing Co., Ltd. (略称: TOSHIMA Manufacturing Co., Ltd.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 日向 慎太郎 / Shintaro Hinata / ヒナタ シンタロウ
第7著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 小川 智之 / Tomoyuki Ogawa / オガワ トモユキ
第8著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 斉藤 伸 / Shin Saito / サイトウ シン
第9著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2024-06-06 15:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 MRIS 
資料番号 MRIS2024-3 
巻番号(vol) vol.124 
号番号(no) no.67 
ページ範囲 pp.12-17 
ページ数
発行日 2024-05-30 (MRIS) 


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