講演抄録/キーワード |
講演名 |
2024-06-06 15:00
ポーラスターゲットを用いたホットカソードRFスパッタリングによる熱アシスト磁気記録媒体用MgO下地層の高速成膜 ○山田航太・宮崎大輝・廣川祐生・Seong-Jae Jeon・清水章弘(東北大)・岩谷幸作(豊島製作所)・日向慎太郎・小川智之・斉藤 伸(東北大) MRIS2024-3 |
抄録 |
(和) |
熱アシスト磁気記録媒体用MgO下地層の高速成膜のためのホットカソードRFスパッタリング用高熱応力耐性ターゲットを提案する.ターゲット内に空孔を多数有することによって熱応力を緩和する.ターゲットは,MgO粉体に造孔材を混合し,まず空気中で樹脂を焼き切って空孔を確保した後,${1600}^circ$C以上に昇温してMgOを焼結することにより作製した.造孔材添加量,空孔径,焼結温度を適切に選択することで,焼結後のターゲットに空孔を残すことができた.さらに空孔径150 $mu$mのポーラス構造MgOターゲットを用いたホットカソードRFスパッタリングの成膜速度は0.71 nm/sであり,CuバッキングプレートをInボンディングしたMgOターゲットを用いた通常のコールドカソードスパッタリングと比較して3.6倍の成膜速度であった. |
(英) |
A high thermal stress tolerant target for hot cathode RF sputtering is proposed for high rate deposition of MgO underlayer for heat assisted magnetic recording media. Porous structure is proposed that mitigates thermal stress at various locations in the target. Targets were prepared by mixing MgO powder with pore forming material, first baking off the resin in air to secure vacancies, and then sintering the MgO by raising the temperature to ${1600}^circ$C. By appropriately selecting material and its diameter of the pore forming material, and sintering temperature, it was possible to leave vacancies in the target after sintering. Furthermore, the deposition rate of the hot cathode sputtering with the porous MgO target that had a pore diameter of 150 $mu$m was 0.71 nm/s, which was 3.6 times faster than the normal cold cathode sputtering with the MgO target with Cu backing plate. |
キーワード |
(和) |
RFスパッタリング / ホットカソード法 / MgO薄膜 / 高速成膜 / 造孔材 / ポーラス構造材料 / 熱応力 / |
(英) |
RF sputtering / hot cathode / MgO thin film / high rate deposition / pore forming material / porous structure target / high thermal stress tolerant / |
文献情報 |
信学技報, vol. 124, no. 67, MRIS2024-3, pp. 12-17, 2024年6月. |
資料番号 |
MRIS2024-3 |
発行日 |
2024-05-30 (MRIS) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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MRIS2024-3 |