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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2024-06-21 12:10 ［招待講演］ランダムポテンシャルによるMOSFETの特性変化 ○森 伸也（阪大）  SDM2024-21 |
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| 抄録 | （和） | MOSFETのサブスレッショルド係数が，極低温において飽和する現象が観測されている．それを説明するモデルの一つに，2次元電子ガスの状態密度に指数関数型のテールを仮定するモデルがある．本研究では，ランダムポテンシャルがMOSFETの特性に与える影響を理論的に調べるため，乱れた2次元電子ガスの空間平均した状態密度を数値計算により求めた． |
| （英） | It has been observed that the subthreshold coefficients of MOSFETs saturate at cryogenic temperatures. One model that explains this phenomenon is one that assumes an exponential tail in the density-of-states of a two-dimensional electron gas (2DEG). In this study, the author simulates the spatially averaged density-of-states of a disordered 2DEG to investigate the effect of random potentials on MOSFET characteristics. | |
| キーワード | （和） | MOSFET / サブスレッショルド係数 / 低温 / 2次元電子ガス / デバイスシミュレーション / / / |
| （英） | MOSFET / subthreshold swing / cryogenic temperature / two-dimensional electron gas / device simulation / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 124, no. 87, SDM2024-21, pp. 9-12, 2024年6月. | |
| 資料番号 | SDM2024-21 | |
| 発行日 | 2024-06-14 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2024-21 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2024-06-21 - 2024-06-21 |
| 開催地（和） | 関西学院大学・梅田キャンパス |
| 開催地（英） | Kwansei Gakuin Univ., Umeda Campus |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ・パワーデバイス高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices, Memories, and Power Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2024-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ランダムポテンシャルによるMOSFETの特性変化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Random Potential Induced Characteristics Variations in MOSFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | サブスレッショルド係数 / subthreshold swing |
| キーワード(3)（和/英） | 低温 / cryogenic temperature |
| キーワード(4)（和/英） | 2次元電子ガス / two-dimensional electron gas |
| キーワード(5)（和/英） | デバイスシミュレーション / device simulation |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 伸也 / Nobuya Mori / モリ ノブヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2024-06-21 12:10:00 |
| 発表時間 | 35分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2024-21 |
| 巻番号（vol） | vol.124 |
| 号番号（no） | no.87 |
| ページ範囲 | pp.9-12 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2024-06-14 (SDM) |
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