| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2024-08-23 14:15 エキシマ光アシストプロセスを用いた酸化インジウム薄膜トランジスタの作製と特性評価 ○笠原綾祐・駒井伯成・和田英男・小山政俊・藤井彰彦（阪工大）・清水昭宏・竹添法隆・山口紫苑・伊藤寛泰（ウシオ電機）・前元利彦（阪工大）  ED2024-15 |
|
| 抄録 | （和） | 酸化インジウム（In2O3）薄膜は，低温多結晶シリコンより高い電子移動度と低オフリークの特長を持ち，次世代有機ELディスプレイへの応用が期待されている．我々は，カーボンフリーの水溶液ベース前駆体とエキシマ光を用いた溶液法でIn2O3薄膜トランジスタ（TFT）を作製し，その伝達特性を評価した．本報告では，300℃以下のプロセスでエキシマ光導入の有効性を確認し，オフリーク電流が7.2×10^-13A/um, on/off比が5.9×10^6, 電界移動度が28 cm^2/VsのIn2O3-TFTの作製に成功したことを報告する． |
| （英） | Indium oxide (In2O3) thin-films exhibit higher electron mobility and lower off-leakage compared to Low-Temperature Polycrystalline Silicon (LTPS), making them promising candidates for next-generation OLED displays. We have fabricated In2O3 thin-film transistors (TFTs) using a solution method with a carbon-free aqueous solution-based precursor and excimer light, and have characterized the transfer characteristics of TFTs. In this report, we describe the successful fabrication of an In2O3-TFT with an off-leak current of 7.2×10^-13 A/um, an on/off ratio of 5.9×10^6, and a field-effect mobility of 28 cm^2/Vs. Additionally, we confirmed the effectiveness of introducing excimer light in processes below 300℃. | |
| キーワード | （和） | 酸化物半導体 / 酸化インジウム / 薄膜トランジスタ / 溶液プロセス / エキシマランプ / / / |
| （英） | Oxide Semiconductor / Indium Oxide / Thin-Film Transistor / Solution Process / Excimer Lamp / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 124, no. 158, ED2024-15, pp. 8-11, 2024年8月. | |
| 資料番号 | ED2024-15 | |
| 発行日 | 2024-08-16 (ED) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2024-15 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2024-08-23 - 2024-08-23 |
| 開催地（和） | 高知工科大学（永国寺キャンパス） |
| 開催地（英） | Kochi University of Technology (Eikokuji Campus) |
| テーマ（和） | 薄膜材料デバイス，一般 |
| テーマ（英） | Thin film materials and devices, general |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2024-08-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | エキシマ光アシストプロセスを用いた酸化インジウム薄膜トランジスタの作製と特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and Characterization of Indium Oxide Thin-Film Transistors using Excimer Light Assist Process |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化物半導体 / Oxide Semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | 酸化インジウム / Indium Oxide |
| キーワード(3)（和/英） | 薄膜トランジスタ / Thin-Film Transistor |
| キーワード(4)（和/英） | 溶液プロセス / Solution Process |
| キーワード(5)（和/英） | エキシマランプ / Excimer Lamp |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 笠原 綾祐 / Ryosuke Kasahara / カサハラ リョウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪工業大学 (略称： 阪工大) Osaka Institute of Technology (略称： Osaka Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 駒井 伯成 / Takeaki Komai / コマイ タケアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪工業大学 (略称： 阪工大) Osaka Institute of Technology (略称： Osaka Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 和田 英男 / Hideo Wada / ワダ ヒデオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪工業大学 (略称： 阪工大) Osaka Institute of Technology (略称： Osaka Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小山 政俊 / Masatoshi Koyama / コヤマ マサトシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪工業大学 (略称： 阪工大) Osaka Institute of Technology (略称： Osaka Inst. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤井 彰彦 / Akihiko Fujii / フジイ アキヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | 大阪工業大学 (略称： 阪工大) Osaka Institute of Technology (略称： Osaka Inst. of Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 清水 昭宏 / Akihiro Shimizu / シミズ アキヒロ |
| 第6著者 所属（和/英） | ウシオ電機(株) (略称： ウシオ電機) Ushio Incoporated (略称： Ushio Inc.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹添 法隆 / Noritaka Takezoe / タケゾエ ノリタカ |
| 第7著者 所属（和/英） | ウシオ電機(株) (略称： ウシオ電機) Ushio Incoporated (略称： Ushio Inc.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 紫苑 / Shion Yamaguchi / ヤマグチ シオン |
| 第8著者 所属（和/英） | ウシオ電機(株) (略称： ウシオ電機) Ushio Incoporated (略称： Ushio Inc.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 寛泰 / Hiroyasu Ito / イトウ ヒロヤス |
| 第9著者 所属（和/英） | ウシオ電機(株) (略称： ウシオ電機) Ushio Incoporated (略称： Ushio Inc.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前元 利彦 / Toshihiko Maemoto / マエモト トシヒコ |
| 第10著者 所属（和/英） | 大阪工業大学 (略称： 阪工大) Osaka Institute of Technology (略称： Osaka Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2024-08-23 14:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2024-15 |
| 巻番号（vol） | vol.124 |
| 号番号（no） | no.158 |
| ページ範囲 | pp.8-11 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2024-08-16 (ED) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]