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講演抄録/キーワード
講演名 2024-10-24 14:50
Investigation of post-metallization annealing condition on the ferroelectric HfN1.15 thin film formation
Kangbai LiShun-ichiro OhmiTokyo Tech.SDM2024-49
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
(英) In this paper, the annealing condition and Ar/N2 gas flow rate dependences on the ferroelectric HfN1.15 formed by ECR-plasma sputtering was investigated. The equivalent oxide thickness (EOT) of 2.74 nm was obtained with Ar/N2 gas flow rate of 8/7 sccm followed by the 400°C/5 min post metallization annealing (PMA) in N2. The EOT was decreased to 1.50 nm with the deposition of the Ar/N2 gas flow rate of 14/14 sccm. However, the leakage current increased which led to the degradation of ferroelectric property.
キーワード (和) / / / / / / /  
(英) Hafnium nitride / ECR-plasma sputtering / gas flow rate / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 124, no. 222, SDM2024-49, pp. 26-28, 2024年10月.
資料番号 SDM2024-49 
発行日 2024-10-17 (SDM) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2024-49

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2024-10-24 - 2024-10-24 
開催地(和) 東北大学未来情報産業研究館5F 
開催地(英) NICHe, Tohoku Univ. 
テーマ(和) プロセス科学と新プロセス技術 
テーマ(英) Process Science and New Process Technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2024-10-SDM 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Investigation of post-metallization annealing condition on the ferroelectric HfN1.15 thin film formation 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) / Hafnium nitride  
キーワード(2)(和/英) / ECR-plasma sputtering  
キーワード(3)(和/英) / gas flow rate  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) Kangbai Li / Kangbai Li / Kangbai Li
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 大見 俊一郎 / Shun-ichiro Ohmi /
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2024-10-24 14:50:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2024-49 
巻番号(vol) vol.124 
号番号(no) no.222 
ページ範囲 pp.26-28 
ページ数
発行日 2024-10-17 (SDM) 


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