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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2024-10-31 16:50 [110]方位でのCZ-Si単結晶育成における種子付け界面近傍の転位観察 ○藤 倫太郎・塚田大喜・塚田翔馬・干川岳志（信州大）・斉藤広幸・松村 尚（GWJ）・太子敏則（信州大）  MRIS2024-15 CPM2024-44 |
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| 抄録 | （和） | これまでLSIデバイスには主に (100)のシリコンウェハーが使用されているが、今後、正孔の移動度の観点から(110)のシリコンウェハーの使用が期待されている。CZ法による[100]シリコン単結晶育成において、融液表面への種子付け際に生じる熱ショック転位は種結晶に高濃度のB添加することで抑制されるが、[110]結晶育成ではすべり面である{111}が成長方向に平行であるため、成長結晶中の転位挙動が懸念される。本研究では、Bを添加した[110]種結晶を用いてのCZ-Si結晶育成における種子づけ界面近傍の転位挙動を観察した。 |
| （英） | In the growth of [100] silicon single crystals by the CZ method, dislocations due to thermal shock, which generate in the seed when the seed is dipped into the Si melt, could be suppressed by using heavily B-doped Si seeds. In [110] crystal growth, the dislocation behavior in the grown crystal is a severe problem because some {111} slip planes are parallel to the growth direction. In the present study, dislocation behavior in the vicinity of seeding interface between B-doped Si seeds and grown crystals in [110] CZ-Si crystal growth was investigated. | |
| キーワード | （和） | シリコン / 引き上げ(CZ)法 / 転位 / 種子付け界面 / B添加 / / / |
| （英） | silicon / Czochralski (CZ) method / dislocations / seeding interface / B doping / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 124, no. 228, CPM2024-44, pp. 30-33, 2024年10月. | |
| 資料番号 | CPM2024-44 | |
| 発行日 | 2024-10-24 (MRIS, CPM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MRIS2024-15 CPM2024-44 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MRIS CPM ITE-MMS |
| 開催期間 | 2024-10-31 - 2024-11-01 |
| 開催地（和） | 信州大学長野(工学)キャンパス |
| 開催地（英） | Nagano Camp. Shinshu Univ. + Online |
| テーマ（和） | スピントロニクス・固体メモリ・機能性材料・薄膜プロセス・材料・デバイス＋一般 |
| テーマ（英） | Spintronics, Solid State Memory, Functional material, Thin film process, Material, Devices, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2024-10-MRIS-CPM-MMS |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | [110]方位でのCZ-Si単結晶育成における種子付け界面近傍の転位観察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Observation of dislocation near seeding interface in CZ-Si single crystals grown with [110] orientation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン / silicon |
| キーワード(2)（和/英） | 引き上げ(CZ)法 / Czochralski (CZ) method |
| キーワード(3)（和/英） | 転位 / dislocations |
| キーワード(4)（和/英） | 種子付け界面 / seeding interface |
| キーワード(5)（和/英） | B添加 / B doping |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤 倫太郎 / Rintaro To / トウ リンタロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塚田 大喜 / Hiroki Tsukada / ツカダ ヒロキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塚田 翔馬 / Shoma Tsukada / ツカダ ヒロキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 干川 岳志 / Takeshi Hoshikawa / ホシカワ タケシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 斉藤 広幸 / Hiroyuki Saito / |
| 第5著者 所属（和/英） | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 (略称： GWJ) GlovalWafers Japan Co., Ltd. (略称： GWJ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松村 尚 / Hisashi Matsumura / マツムラ ヒサシ |
| 第6著者 所属（和/英） | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 (略称： GWJ) GlovalWafers Japan Co., Ltd. (略称： GWJ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 太子 敏則 / Toshinori Taishi / タイシ トシノリ |
| 第7著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2024-10-31 16:50:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | MRIS2024-15, CPM2024-44 |
| 巻番号（vol） | vol.124 |
| 号番号（no） | no.227(MRIS), no.228(CPM) |
| ページ範囲 | pp.30-33 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2024-10-24 (MRIS, CPM) |
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