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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2024-10-31 16:10 TLZ法により育成したB添加SiGe結晶の電気的特性の評価 ○小島真一・太子敏則（信州大）・荒井康智（JAXA）・木下恭一（明大）  MRIS2024-14 CPM2024-43 |
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| 抄録 | （和） | SiGe合金系は全率固溶体であり、組成比を変えることでバンドギャップ等の物性値をSiとGeの間で連続的に変化させることができるが、チョクラルスキー(CZ)法や垂直ブリッジマン(VB)法では均一組成のSiGe結晶を育成することが困難である。また、実用上はボロン(B)やリン(P)などの不純物濃度の制御が不可欠である。そこで、均質なSiGe結晶を得るためにJAXAにて開発されたTLZ法を用いてB添加したSiGe結晶を育成し、結晶方位、組成分析および電気的特性の評価を実施した。またホール移動度と結晶性の関係について検討した。 |
| （英） | SiGe crystals are one of the complete solid solution materials, physical properties such as the band gap can be continuously varied between those of silicon and germanium by changing the composition of Si and Ge. However, growth of SiGe crystals with a homogeneous composition by Czochralski(CZ) or Vertical Bridgman(VB) methods is difficult. Additionally, controlling impurity concentrations, such as boron and phosphorus, is essential for practical applications. In the present study, SiGe crystals doped with boron (B) were grown by TLZ (Traveling Liquidus Zone) method, developed by JAXA, to obtain homogeneous SiGe crystals were investigated. We measured the composition distributions, X-ray laue patterns and electrical properties and evaluated the relationship between the Hall mobility and crystallinity. | |
| キーワード | （和） | バルク結晶成長 / SiGe / TLZ法 / ホール移動度 / / / / |
| （英） | Bulk Crystal Growth / SiGe / TLZ Method / Hall Mobility / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 124, no. 228, CPM2024-43, pp. 26-29, 2024年10月. | |
| 資料番号 | CPM2024-43 | |
| 発行日 | 2024-10-24 (MRIS, CPM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MRIS2024-14 CPM2024-43 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MRIS CPM ITE-MMS |
| 開催期間 | 2024-10-31 - 2024-11-01 |
| 開催地（和） | 信州大学長野(工学)キャンパス |
| 開催地（英） | Nagano Camp. Shinshu Univ. + Online |
| テーマ（和） | スピントロニクス・固体メモリ・機能性材料・薄膜プロセス・材料・デバイス＋一般 |
| テーマ（英） | Spintronics, Solid State Memory, Functional material, Thin film process, Material, Devices, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2024-10-MRIS-CPM-MMS |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | TLZ法により育成したB添加SiGe結晶の電気的特性の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation on electrical characteristic in SiGe crystals grown by traveling liquidus-zone (TLZ) method |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | バルク結晶成長 / Bulk Crystal Growth |
| キーワード(2)（和/英） | SiGe / SiGe |
| キーワード(3)（和/英） | TLZ法 / TLZ Method |
| キーワード(4)（和/英） | ホール移動度 / Hall Mobility |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小島 真一 / Kojima Shinichi / コジマ シンイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 太子 敏則 / Toshinori Taishi / タイシ トシノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒井 康智 / Yasutomo Arai / アライ ヤストモ |
| 第3著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人 宇宙航空研究開発機構 (略称： JAXA) JAXA (略称： JAXA) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木下 恭一 / Kyoichi Kinoshita / キノシタ キョウイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2024-10-31 16:10:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | MRIS2024-14, CPM2024-43 |
| 巻番号（vol） | vol.124 |
| 号番号（no） | no.227(MRIS), no.228(CPM) |
| ページ範囲 | pp.26-29 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2024-10-24 (MRIS, CPM) |
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