ご案内 入会して研究会活動をもっとお得に!研究会参加費・年間登録費が会員価格になります。
お知らせ 【重要】研究会参加費の支払いおよび原稿アップロード手続きの変更に関するご案内
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2024-11-01 11:10
金属触媒を用いた石英基板上グラフェンの直接成長
工藤 彰齋藤遼佑中澤日出樹弘前大MRIS2024-23 CPM2024-52
抄録 (和) 真空蒸着法により石英ガラス基板上に金属触媒層を作製し、その上にパルスレーザー堆積法により炭素膜を堆積させることで、絶縁性基板上にグラフェンを直接成長させる方法について検討した。金属触媒として Niを採用し、Ni 層の堆積温度、アニール温度および膜厚を変化させたときの結晶構造および表面形態の変化を調べた。
Ni 層の膜厚を 30 nm から 100 nm にすることでアニールによる石英ガラス基板上ディウェッティングの発生を抑制することに成功した。しかし、Ni 層が多結晶であったため、ガラス基板上 Ni 層の作製プロセスの最適化が必要である。 
(英) We have studied the direct growth of graphene on an insulator substrate by pulsed laser deposition of a carbon film on a metal catalyst layer prepared on a quartz glass substrate by vacuum evaporation. We used Ni as a metal catalyst and investigated the structure and surface morphology of the Ni layers deposited at various deposition temperatures, annealing temperatures, and thicknesses. When the thickness of the Ni layers was increased from 30 nm to 100 nm, the dewetting of Ni on the glass substrates was successfully suppressed. However, as the Ni layer was polycrystalline, it is necessary to optimize the preparation processes of the Ni layers on the glass substrates.
キーワード (和) グラフェン / Ni / ガラス基板 / パルスレーザー堆積法 / 真空蒸着 / / /  
(英) graphene / Ni / Glass substrate / Pulsed laser deposition / Vacuum evaporation / / /  
文献情報 信学技報, vol. 124, no. 228, CPM2024-52, pp. 64-67, 2024年10月.
資料番号 CPM2024-52 
発行日 2024-10-24 (MRIS, CPM) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード MRIS2024-23 CPM2024-52

研究会情報
研究会 MRIS CPM ITE-MMS  
開催期間 2024-10-31 - 2024-11-01 
開催地(和) 信州大学長野(工学)キャンパス 
開催地(英) Nagano Camp. Shinshu Univ. + Online 
テーマ(和) スピントロニクス・固体メモリ・機能性材料・薄膜プロセス・材料・デバイス+一般 
テーマ(英) Spintronics, Solid State Memory, Functional material, Thin film process, Material, Devices, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2024-10-MRIS-CPM-MMS 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 金属触媒を用いた石英基板上グラフェンの直接成長 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Direct growth of graphene on quartz substrates using metal catalysts 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) グラフェン / graphene  
キーワード(2)(和/英) Ni / Ni  
キーワード(3)(和/英) ガラス基板 / Glass substrate  
キーワード(4)(和/英) パルスレーザー堆積法 / Pulsed laser deposition  
キーワード(5)(和/英) 真空蒸着 / Vacuum evaporation  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 工藤 彰 / Akira Kudo / クドウ アキラ
第1著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 齋藤 遼佑 / Ryosuke Saito / サイトウ リョウスケ
第2著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa / ナカザワ ヒデキ
第3著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第4著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第21著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第21著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第22著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第22著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第23著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第23著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第24著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第24著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第25著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第25著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第26著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第26著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第27著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第27著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第28著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第28著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第29著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第29著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第30著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第30著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第31著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第31著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第32著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第32著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第33著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第33著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第34著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第34著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第35著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第35著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第36著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第36著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2024-11-01 11:10:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 MRIS2024-23, CPM2024-52 
巻番号(vol) vol.124 
号番号(no) no.227(MRIS), no.228(CPM) 
ページ範囲 pp.64-67 
ページ数
発行日 2024-10-24 (MRIS, CPM) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会