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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2024-11-07 15:55 オフ角基板を用いたc軸傾斜エピタキシャルLiNbO3薄膜SMR ○内田拓希・柳谷隆彦（早大）  US2024-58 |
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| 抄録 | （和） | c軸傾斜LiNbO3 (LN) 薄膜を用いたBAWフィルタは、高い電気機械結合係数k2を有することが期待される。これまでLNは、イオンスライシングなどの薄片化技術によりバルク単結晶をから作製されてきた。しかし、10GHzを超えるLN薄膜共振器ではさらなる薄膜化が必要であり、従来の薄片化技術では作製が困難である。エピタキシャル成長技術を用いれば、良好な結晶性のLN薄膜を作製でき、8インチなどの大面積での作製にも有望である。そこで本研究では、6ペアのTi/Ptエピタキシャルブラッグ反射器とエピタキシャルLN 薄膜を、RFマグネトロンスパッタリング法を用いて、0°、10°および20°オフ角のAl2O3基板上に作製した。LN圧電薄膜とTi/Ptブラッグ反射器のエピタキシャル成長は、XRD極点図の6回対称性から確認された。1.8 GHz付近に厚み縦モードの共振反共振ピークが観測された。c軸0°, 10°, 20°傾斜LiNbO3 SMRの厚さ縦モードのkeff2はそれぞれ2.2%, 6.6%, 4.6%と見積もられた。 |
| （英） | The c-axis tilted LiNbO3 thin film bulk acoustic wave (BAW) filter is anticipated to exhibit a high electromechanical coupling coefficient (k2). However, resonators operating above 10 GHz may face challenges related to the bonding and thinning of the LiNbO3 layer. Epitaxial growth techniques are expected to enable the fabrication of ultra-thin films with high crystallinity and allow for large-area production exceeding 8 inches. In this study, three types of epitaxial LiNbO3 SMR on Al2O3 substrates with 0°, 10°, and 20° off-angle and six pairs of epitaxial Ti/Pt as a Bragg reflector, using RF magnetron sputtering are fabricated. The successful epitaxial growth was confirmed through six-fold symmetry in X-ray diffraction (XRD) pole figures. Resonance and antiresonance peaks were observed around 1.8 GHz, with effective coupling coefficients (keff²) estimated at 2.2%, 6.6%, and 4.6% for the 0°, 10°, and 20° tilted SMRs, respectively. | |
| キーワード | （和） | BAW / SMR / LiNbO3薄膜 / エピタキシャル成長 / スパッタリング / オフ角基板 / / |
| （英） | BAW / SMR / LiNbO3 thin film / Epitaxial growth / Sputtering / Off-angle substrate / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 124, no. 235, US2024-58, pp. 35-40, 2024年11月. | |
| 資料番号 | US2024-58 | |
| 発行日 | 2024-10-31 (US) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | US2024-58 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | US |
| 開催期間 | 2024-11-07 - 2024-11-07 |
| 開催地（和） | 愛知工業大学 本山キャンパス |
| 開催地（英） | AICHI INSTITUTE OF TECHNOLOGY Univ |
| テーマ（和） | 超音波一般 |
| テーマ（英） | Ultrasonics, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | US |
| 会議コード | 2024-11-US |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | オフ角基板を用いたc軸傾斜エピタキシャルLiNbO3薄膜SMR |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | c-Axis tilted LiNbO3 off-angle epitaxial thin film SMR |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | BAW / BAW |
| キーワード(2)（和/英） | SMR / SMR |
| キーワード(3)（和/英） | LiNbO3薄膜 / LiNbO3 thin film |
| キーワード(4)（和/英） | エピタキシャル成長 / Epitaxial growth |
| キーワード(5)（和/英） | スパッタリング / Sputtering |
| キーワード(6)（和/英） | オフ角基板 / Off-angle substrate |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内田 拓希 / Hiroki Uchida / ウチダ ヒロキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柳谷 隆彦 / Takahiko Yanagitani / ヤナギタニ タカヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2024-11-07 15:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | US |
| 資料番号 | US2024-58 |
| 巻番号（vol） | vol.124 |
| 号番号（no） | no.235 |
| ページ範囲 | pp.35-40 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2024-10-31 (US) |
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