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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2024-11-14 13:55 小型合成回路を用いた4.7GHz帯GaN HEMT増幅器のドハティ・アウトフェージング複合動作による出力バックオフ効率改善 ○白石悠大・本城和彦・石川 亮（電通大）  MW2024-130 |
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| 抄録 | （和） | 広ダイナミックレンジのディジタル変調信号を高効率に増幅する負荷変調増幅器としてアウトフェージング増幅器があり，またドハティ増幅器と組み合わせる性能拡大手法が検討されている．これまでに我々は直列リアクタンス補償素子による小型アウトフェージング合成回路を提案し，試作結果を報告した．本研究では増幅器の大型化を抑えながら出力バックオフ効率を改善することを目的として，小型合成回路を用いたドハティ・アウトフェージング増幅器の提案，検証を行った．設計ではバックオフ，中間出力，飽和近傍の3点に着目した回路設計手法により高効率化を図った．試作したGaN HEMTドハティ・アウトフェージング増幅器は4.6 GHzにおいて最大ドレイン効率59.5%および飽和出力42.3 dBmを達成し，10.3 dBの出力バックオフ領域内で50%以上のドレイン効率を維持した． |
| （英） | An outphasing power amplifier is one of high-efficiency load-modulation amplifiers for wide-dynamic-range digitally modulated signals, and the method by combining it with Doherty power amplifiers for expanding performance has been also investigated. For the outphasing power amplifier configuration, we proposed the scheme and reported prototype evaluations of a miniature output combiner with series reactance-compensation elements. In this paper, we proposed and verified a Doherty-outphasing power amplifier with a miniature combiner for improvement the output back-off efficiency while downsizing the amplifier. The amplifier was designed based on an impedance-termination adjustment technique at 3 power levels of back-off, middle output, and near-saturation points to maximize the efficiency. The fabricated GaN HEMT Doherty-outphasing power amplifier exhibited a peak drain efficiency of 59.5% and a saturated output power of 42.3 dBm at 4.6 GHz. In addition, a drain efficiency above 50% was maintained within a output power back-off of 10.3 dB. | |
| キーワード | （和） | アウトフェージング増幅器 / ドハティ増幅器 / 負荷変調 / 広ダイナミックレンジ / GaN HEMT / / / |
| （英） | outphasing power amplifier / Doherty power amplifier / load modulation / wide dynamic range / GaN HEMT / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 124, no. 261, MW2024-130, pp. 40-45, 2024年11月. | |
| 資料番号 | MW2024-130 | |
| 発行日 | 2024-11-07 (MW) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2024-130 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2024-11-14 - 2024-11-15 |
| 開催地（和） | JA久米島 阿里ゆんたく舘 |
| 開催地（英） | JA Kume-jima Yuntaku house |
| テーマ（和） | マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Microwave, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2024-11-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 小型合成回路を用いた4.7GHz帯GaN HEMT増幅器のドハティ・アウトフェージング複合動作による出力バックオフ効率改善 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement of Output Back-Off Efficiency by Doherty-Outphasing Mixed Operation for 4.7-GHz-Band GaN HEMT Power Amplifier with Miniature Combiner |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | アウトフェージング増幅器 / outphasing power amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | ドハティ増幅器 / Doherty power amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | 負荷変調 / load modulation |
| キーワード(4)（和/英） | 広ダイナミックレンジ / wide dynamic range |
| キーワード(5)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白石 悠大 / Yudai Shiraishi / シライシ ユウダイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本城 和彦 / Kazuhiko Honjo / ホンジョウ カズヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 亮 / Ryo Ishikawa / イシカワ リョウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2024-11-14 13:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2024-130 |
| 巻番号（vol） | vol.124 |
| 号番号（no） | no.261 |
| ページ範囲 | pp.40-45 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2024-11-07 (MW) |
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