| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2024-12-20 10:40 ［招待講演］fmax = 450 GHz超を有するダブルδドープGa0.22In0.78SbチャネルHEMT ○町田龍人（NICT）・吉田陸人・岸本尚之・河野亮介・礒前雄人・海老原怜央・林 拓也・神内智揮・國澤宗真（東京理科大）・渡邊一世・山下良美・原 紳介・笠松章史（NICT）・遠藤 聡・藤代博記（東京理科大）  ED2024-61 MWPTHz2024-73 |
|
| 抄録 | （和） | InSb系高電子移動度トランジスタ（HEMT）の更なるRF特性向上のため，薄膜AlInSbスペーサ層およびバリア層によるゲート・チャネル間距離の短縮に加え，ダブルδドープ構造を新たに導入したGa0.22In0.78SbチャネルHEMTを作製した．結果，遮断周波数fTはInSb系FETの世界最高値と同等の342 GHz（ゲート長50 nm）を，最大発振周波数fmaxは451 GHz（ゲート長70 nm）をそれぞれ達成した． |
| （英） | To further improve the RF characteristics of InSb-based high electron mobility transistors (HEMTs), we fabricated double δ-doped Ga0.22In0.78Sb channel HEMTs with thin AlInSb spacer and barrier to reduce the gate-to-channel distance. As a result, high cutoff frequency (fT) of 342 GHz and high maximum oscillation frequency (fmax) of 451 GHz were respectively achieved in 50- and 70-nm-gate HEMTs. This fT is almost the same as the highest values ever reported for InSb-based field effect transistors. | |
| キーワード | （和） | InSb系化合物半導体 / 高電子移動度トランジスタ (HEMT) / ダブルδドープ / 薄膜スペーサ層・バリア層 / 遅延時間解析 / / / |
| （英） | InSb-based Compound Semiconductors / High Electron Mobility Transistor (HEMT) / Double δ-doped / Thin Spacer and Barrier Layers / Delay Time Analysis / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 124, no. 314, ED2024-61, pp. 26-29, 2024年12月. | |
| 資料番号 | ED2024-61 | |
| 発行日 | 2024-12-12 (ED, MWPTHz) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2024-61 MWPTHz2024-73 |
|
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]