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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2025-01-24 11:25 ALD-SiNx/GaN MIS界面特性における極性面及び非極性面へのドライエッチング誘起損傷とTMAH処理による回復効果 ○吉嗣晃治・山田高寛・滝口雄貴・友久伸吾・長永隆志（三菱電機）・宮本恭幸（科学大）  ED2024-79 MW2024-165 |
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| 抄録 | （和） | 本報告では、GaN極性面及び非極性面における誘導結合型反応性イオンエッチング(ICP-RIE)によるドライエッチング誘起損傷の影響を明らかにすることを目的として、自立基板上にALD- SiNxからなるMIS構造を作製し容量電圧特性を評価した。その結果、極性c面(0001)は非極性m面(10-10)に対して表面プロセスに敏感であり、負方向へのフラットバンドシフトや実効ドナー密度の減少が確認された。さらに、c面におけるこれらの損傷回復にはアニール処理だけでは不十分であり、TMAH湿式処理が有効であることを見出した。 |
| （英） | This report aims to clarify the effects of dry etching-induced damage by ICP-RIE on polar and non-polar GaN surfaces. We fabricated MIS structures utilizing atomic-layer-deposited SiNx on free-standing substrates and evaluated their capacitance-voltage characteristics. The analysis revealed that the polar c-plane (0001) is more sensitive to surface processes compared to the non-polar m-plane (10-10), showing a negative flat-band voltage shift and a decrease in effective carrier density. In addition, it was found that annealing treatment alone is not sufficient to recover these damages on the c-plane, and TMAH wet treatment is effective. | |
| キーワード | （和） | ALD-SiNx / GaN / MIS / 極性面 / 非極性面 / TMAH / / |
| （英） | ALD-SiNx / GaN / MIS / polar / non-polar / TMAH / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 124, no. 355, ED2024-79, pp. 63-66, 2025年1月. | |
| 資料番号 | ED2024-79 | |
| 発行日 | 2025-01-16 (ED, MW) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2024-79 MW2024-165 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2025-01-23 - 2025-01-24 |
| 開催地（和） | 深谷公民館・深谷生涯学習センター |
| 開催地（英） | fukaya-kouminkan |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2025-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ALD-SiNx/GaN MIS界面特性における極性面及び非極性面へのドライエッチング誘起損傷とTMAH処理による回復効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of dry etching-induced damage and TMAH treatment on ALD-SiNx/GaN MIS interface characteristics on polar and non-polar GaN surfaces |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ALD-SiNx / ALD-SiNx |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | MIS / MIS |
| キーワード(4)（和/英） | 極性面 / polar |
| キーワード(5)（和/英） | 非極性面 / non-polar |
| キーワード(6)（和/英） | TMAH / TMAH |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉嗣 晃治 / Koji Yoshitsugu / ヨシツグ コウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 高寛 / Takahiro Yamada / ヤマダ タカヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 滝口 雄貴 / Yuki Takiguchi / タキグチ ユウキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 友久 伸吾 / Shingo Tomohisa / トモヒサ シンゴ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長永 隆志 / Takashi Takenaga / タケナガ タカシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮本 恭幸 / Yasuyuki Miyamoto / ミヤモト ヤスユキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京科学大学 (略称： 科学大) Institute of Science Tokyo (略称： Science Tokyo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2025-01-24 11:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2024-79, MW2024-165 |
| 巻番号（vol） | vol.124 |
| 号番号（no） | no.355(ED), no.356(MW) |
| ページ範囲 | pp.63-66 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2025-01-16 (ED, MW) |
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