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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2025-01-29 14:50 ［招待講演］シリコンFin型量子ドットにおける長周期動作不安定性の起源 ○岡 博史・浅井栄大・加藤公彦・稲葉 工・下方駿佑・飯塚将太・千足勇介・小林唯華・由井 斉・永野聖子・村上重則・射場義久・小倉 実・中山隆史・小池帆平・更田裕司（産総研）・森山悟士（東京電機大）・森 貴洋（産総研）  SDM2024-68 |
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| 抄録 | （和） | 高集積量子コンピュータに向けて，固体素子型量子ビットの研究開発が盛んである。中でもシリコン量子ビットは半導体CMOS微細加工プロセスとの親和性が高く，既存の量産設備で製造可能であるため，高集積化の観点から有力な素子候補の一つである。近年，コヒーレンス時間の延長や高忠実度化など，シリコン量子ビットの素子性能は向上を続けている。量子コンピュータの実運用上の観点では，素子の動作安定性は計算のエラーに直結する重要な指標となる。しかし，シリコン量子ビットの動作安定性や特性の経時変化に関する報告例は限定的であり，十分に議論されているとはいえない。本研究では，シリコン量子ビットの中でも高集積化への期待が高いFin型量子ドットを対象に，ランダム・テレグラフ・ノイズ（RTN）として観測される長周期の動作不安定性を評価し，その物理的な起源の一つを特定した。 |
| （英） | To realize highly integrated quantum computers, various types of solid-state qubits have been developed. In particular, Si spin qubits have an advantage in scalability due to its CMOS-compatible manufacturing technology. Recently, the performance of Si spin qubits has been developed steadily such as prolonged coherence time and improved operation fidelity. In addition to improving the performance of Si spin qubits, long-period electrical stability is also an important factor for the practical operation of quantum computers, which directly leads to error amplification. However, there are only limited reports on the long-period electrical stability of the Si spin qubits and its origin has not been thoroughly discussed so far. In this study, we characterized the long-period random telegraph noise (RTN) in fin-type Si quantum dots and clarified its physical origin for the first time. | |
| キーワード | （和） | 量子コンピュータ / シリコン量子ビット / Fin型量子ドット / 動作安定性 / RTN / バンド端準位 / / |
| （英） | Quantum computer / Si qubits / Fin-type quantum dots / Electrical stability / RTN / Band-edge states / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 124, no. 367, SDM2024-68, pp. 11-14, 2025年1月. | |
| 資料番号 | SDM2024-68 | |
| 発行日 | 2025-01-22 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2024-68 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2025-01-29 - 2025-01-29 |
| 開催地（和） | 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス |
| 開催地（英） | KIT Toranomon Graduate School |
| テーマ（和） | 先端デバイス・ プロセス技術（IEDM特集） |
| テーマ（英） | Advanced semiconductor devices and processes (Special feature on IEDM) |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2025-01-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | シリコンFin型量子ドットにおける長周期動作不安定性の起源 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Clarifying the Physical Origin of Long-period Electrical Instability in Silicon Fin-type Quantum Dots |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子コンピュータ / Quantum computer |
| キーワード(2)（和/英） | シリコン量子ビット / Si qubits |
| キーワード(3)（和/英） | Fin型量子ドット / Fin-type quantum dots |
| キーワード(4)（和/英） | 動作安定性 / Electrical stability |
| キーワード(5)（和/英） | RTN / RTN |
| キーワード(6)（和/英） | バンド端準位 / Band-edge states |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡 博史 / Hiroshi Oka / オカ ヒロシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) AIST (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浅井 栄大 / Hidehiro Asai / アサイ ヒデヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) AIST (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 公彦 / Kimihiko Kato / カトウ キミヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) AIST (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 稲葉 工 / Takumi Inaba / イナバ タクミ |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) AIST (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 下方 駿佑 / Shunsuke Shitakata / シタカタ シュンスケ |
| 第5著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) AIST (略称： AIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 飯塚 将太 / Shota Iizuka / イイヅカ ショウタ |
| 第6著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) AIST (略称： AIST) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 千足 勇介 / Yusuke Chiashi / チアシ ユウスケ |
| 第7著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) AIST (略称： AIST) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 唯華 / Yuika Kobayashi / コバヤシ ユイカ |
| 第8著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) AIST (略称： AIST) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 由井 斉 / Hitoshi Yui / ユイ ヒトシ |
| 第9著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) AIST (略称： AIST) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永野 聖子 / Shoko Nagano / ナガノ ショウコ |
| 第10著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) AIST (略称： AIST) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村上 重則 / Shigenori Murakami / ムラカミ シゲノリ |
| 第11著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) AIST (略称： AIST) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 射場 義久 / Yoshihisa Iba / イバ ヨシヒサ |
| 第12著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) AIST (略称： AIST) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小倉 実 / Minoru Ogura / オグラ ミノル |
| 第13著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) AIST (略称： AIST) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中山 隆史 / Takashi Nakayama / ナカヤマ タカシ |
| 第14著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) AIST (略称： AIST) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小池 帆平 / Koike Hanpei / コイケ ハンペイ |
| 第15著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) AIST (略称： AIST) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | 更田 裕司 / Hiroshi Fuketa / フケタ ヒロシ |
| 第16著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) AIST (略称： AIST) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森山 悟士 / Satoshi Moriyama / モリヤマ サトシ |
| 第17著者 所属（和/英） | 東京電機大学 (略称： 東京電機大) Tokyo Denki University (略称： TDU) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 貴洋 / Takahiro Mori / モリ タカヒロ |
| 第18著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) AIST (略称： AIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2025-01-29 14:50:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2024-68 |
| 巻番号（vol） | vol.124 |
| 号番号（no） | no.367 |
| ページ範囲 | pp.11-14 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2025-01-22 (SDM) |
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