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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2025-02-19 16:10 ［招待講演］高放熱性3D Chipletに向けた高熱伝導AlN膜の研究 ○高木 剛・二宮健生・丹羽正昭・小原聡顕・百瀬 健・霜垣幸浩・野村政宏・藤岡 洋（東大）・森 正和（龍谷大）・黒田忠広（東大）  SDM2024-78 |
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| 抄録 | （和） | 高熱伝導絶縁材料である窒化アルミニウム（AlN）を導入することで、優れた放熱性を実現する新規のコンセプト“Cool 3D Chiplet”を提案した。裏面電源供給ネットワーク（BSPDN）の層間絶縁膜（ILD）、TSV絶縁膜、チップレットのチップ間絶縁膜材料としてAlNを用いることによる放熱性向上について熱シミュレーションを行ない、その優位性を確認した。また、各応用に適するAlNの製膜技術についても検討を行い、その適用可能性を実験的に検証した。AlNは、デバイスレベルからパッケージレベルにいたるまで、高い放熱性を有する3Dチップレットの実現を可能とする有望な高熱伝導絶縁材料であることを示した。 |
| （英） | A novel “Cool 3D chiplet” concept is proposed, showcasing remarkable heat dissipation through the integration of aluminum nitride (AlN), an insulating material with high thermal conductivity. We conducted simulations analyzing the thermal impact of AlN as an interlayer dielectric (ILD) for the back-side power delivery network (BSPDN), a TSV insulating film, and a molding material for the packaging. Furthermore, we explored appropriate AlN deposition techniques for each application. The results demonstrate the feasibility of building advanced 3D chiplets with enhanced heat dissipation by employing the AlN in each layer that makes up the 3D chiplet, from the device level to the packaging level. | |
| キーワード | （和） | 3次元集積回路 / 裏面電源配線 / シリコン貫通ビア / チップレット / 窒化アルミニウム / 放熱 / / |
| （英） | 3DIC / BSPDN / TSV / Chiplet / AlN / Heat Dissipation / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 124, no. 376, SDM2024-78, pp. 23-26, 2025年2月. | |
| 資料番号 | SDM2024-78 | |
| 発行日 | 2025-02-12 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2024-78 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2025-02-19 - 2025-02-19 |
| 開催地（和） | 東京大学 本郷/工学部4号館/3階42教室 |
| 開催地（英） | Tokyo Univ. Hongo Engineering/Building4-Room43 |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2025-02-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高放熱性3D Chipletに向けた高熱伝導AlN膜の研究 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on High Thermal Conductivity AlN Films for 3D Chiplets with Excellent Heat Dissipation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 3次元集積回路 / 3DIC |
| キーワード(2)（和/英） | 裏面電源配線 / BSPDN |
| キーワード(3)（和/英） | シリコン貫通ビア / TSV |
| キーワード(4)（和/英） | チップレット / Chiplet |
| キーワード(5)（和/英） | 窒化アルミニウム / AlN |
| キーワード(6)（和/英） | 放熱 / Heat Dissipation |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高木 剛 / Takeshi Takagi / タカギ タケシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： UTokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 二宮 健生 / Takeki Ninomiya / ニノミヤ タケキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： UTokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 丹羽 正昭 / Masaaki Niwa / ニワ マサアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： UTokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小原 聡顕 / Soken Obara / オバラ ソウケン |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： UTokyo) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 百瀬 健 / Takeshi Momose / モモセ タケシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： UTokyo) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 霜垣 幸浩 / Yukihiro Shimogaki / シモガキ ユキヒロ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： UTokyo) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野村 政宏 / Masahiro Nomura / ノムラ マサヒロ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： UTokyo) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤岡 洋 / Hiroshi Fujioka / フジオカ ヒロシ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： UTokyo) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 正和 / Masakazu Mori / モリ マサカズ |
| 第9著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku U.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒田 忠広 / Tadahiro Kuroda / クロダ タダヒロ |
| 第10著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： UTokyo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2025-02-19 16:10:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2024-78 |
| 巻番号（vol） | vol.124 |
| 号番号（no） | no.376 |
| ページ範囲 | pp.23-26 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2025-02-12 (SDM) |
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