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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2025-06-27 15:35 ［招待講演］Si(110)基板上へのSiGeの結晶成長 ○有元圭介・藤本雄太・横田もなみ・青沼雄基（山梨大）・原 康祐（奈良先端大）・山中淳二（山梨大）・鈴木陽洋・和田直之・松川和人・松本光二・山本博昭（SUMCO）  SDM2025-29 |
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| 抄録 | （和） | 半導体ヘテロ構造を利用する電子デバイスにおいて基板の面方位は３つの意味で重要である．第一に，チャネル面すなわちキャリアの運動に関する条件がそれによって決まる．第二に、ヘテロ界面の方位は格子歪みに影響する．更に、格子歪みは結晶欠陥発生の駆動力であるから膜質に影響する．本講演では、これら３つの側面から、Si(110)基板上へのSiGeの結晶成長とデバイス応用に関する研究結果を紹介する．また，Si(110)ウェーハの産業応用に向けて重要な課題となっている，SiGeエピタキシャル薄膜の平坦性の改善への基板傾斜の効果について報告する。 |
| （英） | For semiconductor devices, the orientation of the substrate surface is important for the following reasons. Firstly, it determines the channel plane on which carriers move. Secondly, the orientation of the heterointerface influences lattice strain. Furthermore, it impacts the defect formation and film quality. We will introduce research results on the crystal growth of SiGe on Si(110) substrates and its device applications from these perspectives. Additionally, we will report on the effect of substrate inclination on improving the flatness of SiGe epitaxial thin films, which is a critical issue for the industrial application of Si(110) wafers. | |
| キーワード | （和） | ナノシート / Si(110)ウェーハ / SiGe / 結晶成長 / / / / |
| （英） | nanosheet / Si(110) wafer / SiGe / crystal growth / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 125, no. 91, SDM2025-29, pp. 13-15, 2025年6月. | |
| 資料番号 | SDM2025-29 | |
| 発行日 | 2025-06-20 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2025-29 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2025-06-27 - 2025-06-27 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ES総合館 |
| 開催地（英） | Nagoya Univ., E&S Bldg. |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ・パワーデバイス高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices, Memories, and Power Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2025-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si(110)基板上へのSiGeの結晶成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of SiGe on Si(110) substrates |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノシート / nanosheet |
| キーワード(2)（和/英） | Si(110)ウェーハ / Si(110) wafer |
| キーワード(3)（和/英） | SiGe / SiGe |
| キーワード(4)（和/英） | 結晶成長 / crystal growth |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 有元 圭介 / Keisuke Arimoto / アリモト ケイスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 山梨大学 (略称： 山梨大) University of Yamanashi (略称： Univ. of Yamanashi) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤本 雄太 / Yuta Fujimoto / フジモト ユウタ |
| 第2著者 所属（和/英） | 山梨大学 (略称： 山梨大) University of Yamanashi (略称： Univ. of Yamanashi) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 横田 もなみ / Monami Yokota / ヨコタ モナミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 山梨大学 (略称： 山梨大) University of Yamanashi (略称： Univ. of Yamanashi) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 青沼 雄基 / Yuki Aonuma / アオヌマ ユウキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 山梨大学 (略称： 山梨大) University of Yamanashi (略称： Univ. of Yamanashi) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 康祐 / Kosuke O. Hara / ハラ コウスケ |
| 第5著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山中 淳二 / Junji Yamanaka / ヤマナカ ジュンジ |
| 第6著者 所属（和/英） | 山梨大学 (略称： 山梨大) University of Yamanashi (略称： Univ. of Yamanashi) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 陽洋 / Akihiro Suzuki / スズキ アキヒロ |
| 第7著者 所属（和/英） | 株式会社 SUMCO (略称： SUMCO) SUMCO CORPORATION (略称： SUMCO) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 和田 直之 / Naoyuki Wada / ワダ ナオユキ |
| 第8著者 所属（和/英） | 株式会社 SUMCO (略称： SUMCO) SUMCO CORPORATION (略称： SUMCO) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松川 和人 / Kazuhito Matsukawa / マツカワ カズヒト |
| 第9著者 所属（和/英） | 株式会社 SUMCO (略称： SUMCO) SUMCO CORPORATION (略称： SUMCO) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松本 光二 / Koji Matsumoto / マツモト コウジ |
| 第10著者 所属（和/英） | 株式会社 SUMCO (略称： SUMCO) SUMCO CORPORATION (略称： SUMCO) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 博昭 / Hiroaki Yamamoto / ヤマモト ヒロアキ |
| 第11著者 所属（和/英） | 株式会社 SUMCO (略称： SUMCO) SUMCO CORPORATION (略称： SUMCO) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2025-06-27 15:35:00 |
| 発表時間 | 35分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2025-29 |
| 巻番号（vol） | vol.125 |
| 号番号（no） | no.91 |
| ページ範囲 | pp.13-15 |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2025-06-20 (SDM) |
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