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講演抄録/キーワード
講演名 2025-07-10 09:30
Zn, Ga 及び H2O を原料とする大気圧 CVD 法によるサファイヤ基板上への ZnGa2O4 薄膜の成長 ~ キャリアガス流量比、成長時間および金属原料充填比依存性 ~
安藤稜平菅原 新寺迫智昭愛媛大院理工)・矢木正和香川高専CPM2025-15
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 信学技報, vol. 125, no. 106, CPM2025-15, pp. 13-16, 2025年7月.
資料番号 CPM2025-15 
発行日 2025-07-02 (CPM) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2025-15

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2025-07-09 - 2025-07-10 
開催地(和) 坂の上の雲ミュージアム 
開催地(英) Saka no Ue no Kumo Museum 
テーマ(和) 電子部品・材料、一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2025-07-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Zn, Ga 及び H2O を原料とする大気圧 CVD 法によるサファイヤ基板上への ZnGa2O4 薄膜の成長 
サブタイトル(和) キャリアガス流量比、成長時間および金属原料充填比依存性 
タイトル(英) Growth of ZnGa₂O₄ thin films on sapphire substrates by atmospheric pressure CVD using Zn, Ga, and H₂O as source materials. 
サブタイトル(英) Carrier gas flow ratio, growth time, and metal source loading ratio dependences. 
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 安藤 稜平 / Ryohei Andoh / アンドウ リョウヘイ
第1著者 所属(和/英) 愛媛大学大学院理工学研究科 (略称: 愛媛大院理工)
Graduate School of Science & Engineering, Ehime University (略称: Grad. School Sci. & Eng., Ehime Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 菅原 新 / Arata Sugawara / アラタ スガワラ
第2著者 所属(和/英) 愛媛大学大学院理工学研究科 (略称: 愛媛大院理工)
Graduate School of Science & Engineering, Ehime University. (略称: Grad. School Sci. & Eng., Ehime Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 寺迫 智昭 / Tomoaki Terasako / テラサコ トモアキ
第3著者 所属(和/英) 愛媛大学大学院理工学研究科 (略称: 愛媛大院理工)
Graduate School of Science & Engineering, Ehime University. (略称: Grad. School Sci. & Eng., Ehime Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 矢木 正和 / Masakazu Yagi /
第4著者 所属(和/英) 香川高等専門学校 (略称: 香川高専)
National Institute of Technology, Kagawa College. (略称: Natl. Inst. Technol., Kagawa Col.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2025-07-10 09:30:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2025-15 
巻番号(vol) vol.125 
号番号(no) no.106 
ページ範囲 pp.13-16 
ページ数
発行日 2025-07-02 (CPM) 


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